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[会议论文] 作者：孙甲明,
来源：第五届全国掺杂纳米发光性质学术会议 年份：2014
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[会议论文] 作者：孙甲明,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：孙甲明,
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
高效率硅材料电致发光器件的突破性进展将对于光电集成、光互联的发展将产生重大的影响。由于硅为间接带半导体材料，发光波长单一，效率低，一直无法在硅芯片上集成高效率的硅......
[会议论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：熊细欢, 李娜, 孙甲明,,
来源： 年份：2004
在硅光子学的发展过程中,高效率硅基光源一直是亟待解决的难题。目前除了纳米硅、锗硅等硅发光材料之外,稀土Er3+离子掺杂的SiO2MOS结构电致发光器件（简称MOSLED）因其高的...
[会议论文] 作者：靳亚粉,李娜,孙甲明,
来源：第五届全国掺杂纳米发光性质学术会议 年份：2014
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[会议论文] 作者：宋健,靳亚粉,孙甲明,
来源：第十四届全国发光学学术会议 年份：2016
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[会议论文] 作者：杨扬, 熊细欢, 孙甲明,,
来源： 年份：2004
Er3+离子掺杂的氧化物由于在红外1530 nm的光纤通讯波段具有广泛的应用前景而备受关注。Y2O3在红外波段的折射率高至1.9,光波导损耗低至1-1.5d B/cm,可用来制作硅基波导...
[会议论文] 作者：裴海燕,熊细欢,孙甲明,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
稀土Er3+离子掺杂的硅基Al2O3氧化物具有良好的热稳定性并且在红外1530光纤通讯波段具有优异的光增益性质,因此在硅基光电子器件领域具有重要的应用价值.但是由于Er3+离子在Al2O3中掺杂固溶度较低(约1018/cm3限制了器件发光效率和强度的进一步提升).为了提高Er3......
[会议论文] 作者：孙甲明,侯琼琼,孟凡杰,
来源：第四届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：孙甲明,侯琼琼,刘犇,邢晓东,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：张燕峰,孙甲明,张满红,黄绮,周均铭,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：孙甲明,张燕峰,张满红,黄绮,周均铭,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：张满红,张燕峰,孙甲明,黄绮,周均铭,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：王翰宇,林光杨,李娜,孙甲明,李成,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
光互联芯片由于其高带宽、低延迟、抗干扰能力强等优点,已成为当前硅基光电子领域的重要研究方向.目前硅基激光器的实现主要采用在硅上键合Ⅲ-Ⅴ族激光器的方法.利用FDTD（时域有限差分）方法对微环谐振腔设计进行仿真，对单环、并／串联双环、跑道环四种结构的参数进行......
[会议论文] 作者：孙甲明,刘俊庆,李娜,靳春燕,熊细欢,
来源：第十四届全国发光学学术会议 年份：2016
随着大规模集成电路技术的不断发展，场效应管的特征尺寸将很快降到10 纳米以下，迫近经典电路理论所适用的尺度下限。大规模集成电路中电信号串扰和延迟已经严重制约着集成......
[会议论文] 作者：孙甲明,刘俊庆,李娜,靳春燕,熊细欢,
来源：第六届全国掺杂纳米材料发光性质学术会议 年份：2016
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[会议论文] 作者：刘犇,侯琼琼,邢晓东,刘晓芳,孙甲明,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：邢晓东,刘犇,侯琼琼,刘晓芳,孙甲明,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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