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[会议论文] 作者：任丙彦,霍秀敏,左燕,傅洪波,励旭东,许颖,王文静,赵玉文,
来源：2003年中国太阳能学会学术年会 年份：2003
采用不同氧碳含量的P型(100)无位错CZSi片制作单体硅光电池.为研究氧杂质的行为与影响,实验中设计了不同温度、气氛的热工艺条件.实验结果发现:适当的热处理工艺能引起硅片中氧的形态转变,以及氧碳结构的重组;络合体的形成起到一定的吸杂作用,对光生载流子的复......
[会议论文] 作者：任丙彦,左燕,霍秀敏,傅洪波,励旭东,王文静,许颖,赵玉文,
来源：2003年中国太阳能学会学术年会 年份：2003
本文采用PCZ硅片制作硅光单体电池,并对RTP烧结铝背场工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对wafer少子寿命有一定影响,硅片经铝背场烧结后寿命变化更加明显,而且氧、碳形态也发生了变化.适当的RTP工艺促成以氧沉淀为主体的络合体.络合体的吸杂及Al-Si界面晶......
[会议论文] 作者：左燕,赵龙,张维连,任丙彦,王会贤,曹中谦,张学强,刘彬国,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的PCZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氮、碳型态的变化.实验发现:背场吸杂对光电转换效率有直接影响,Si-Al合金层烧结产生的晶格应力对杂质起到有效吸附作用,从而减少......
[会议论文] 作者：任丙彦[1]左燕[1]霍秀敏[1]傅洪波[1]励旭东[2]王文静[2]许颖[2]赵玉文[2],
来源：2003年中国太阳能学会学术年会 年份：2003
本文采用PCZ硅片制作硅光单体电池,并对RTP烧结铝背场工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对wafer少子寿命有一定影响,硅片经铝背场烧结后寿命变化更加明显,而且氧、碳形...
[会议论文] 作者：任丙彦[1]霍秀敏[1]左燕[1]傅洪波[1]励旭东[2]许颖[2]王文静[2]赵玉文[2],
来源：2003年中国太阳能学会学术年会 年份：2003
采用不同氧碳含量的P型(100)无位错CZSi片制作单体硅光电池.为研究氧杂质的行为与影响,实验中设计了不同温度、气氛的热工艺条件.实验结果发现:适当的热处理工艺能引起硅片中...
[会议论文] 作者：左燕[1]赵龙[1]张维连[1]任丙彦[1]王会贤[2]曹中谦[2]张学强[2]刘彬国[2],
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的PCZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氮、碳型态的变化.实验发现:背场吸杂对光电...
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