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[会议论文] 作者：李鹏翀;刘明哲;张源涛;张宝林;杜国同;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)是GaN基器件的重要组成部分,广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL),光电探测器和发光二极管(LED)等器件中.但是由于AlN和GaN具有较大的晶...
[会议论文] 作者：史志锋,张源涛,张宝林,李新建,杜国同,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展了二维ZnO纳米墙网络结构在可控制备、生长机制及其光学特性方面的研究,并通过构建n-ZnO......
[会议论文] 作者：黄振,邓高强,李宝珠,张源涛,张宝林,杜国同,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
本文使用AIXTRON公司生产的3×2"MOCVD设备,在6H-SiC衬底上,先后生长100nmAlN缓冲层,梯度AlxGa1-xN层,以及1.5μm GaN薄膜.为了验证梯度AlxGa1-xN层对GaN薄膜质量与应力的影...
[会议论文] 作者：闫龙;许恒;李玲;张源涛;张宝林;杜国同;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
在GaN基光电子器件的研究中,N极性器件因具有更高的空穴注入效率、有利于制备高质量高In组分的InGaN/GaN量子阱等独特优势而受到广泛关注.但相比于Ga极性GaN薄膜,异质外延N极...
[会议论文] 作者：蒋俊岩;迟宸;闫龙;张源涛;张宝林;杜国同;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga...
[会议论文] 作者：史志锋[1]张源涛[2]张宝林[2]李新建[1]杜国同[2],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展...
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