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[会议论文] 作者：张炯,李瑞伟,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[会议论文] 作者：王纪民,李瑞伟,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
硅片表面存在台阶时，由于光刻胶的折射作用，会在台阶附近造成曝光盲区，引起光刻残胶。该文给出了残胶量与倾角大小、涂胶厚度之间的解析关系式并对光刻工艺进行了计算机模拟。为......
[会议论文] 作者：吴正立,李瑞伟,蒋志,王勇,王纪民,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
为了提高ＭＯＳ晶体管漏端Ｐ－Ｎ结的击穿电压，该文设计了一种环形多晶硅栅结构，并在漏Ｐ－Ｎ结靠沟道区一侧设置Ｎ〈’－〉区。并成功地进行了实验研究，获得了满意的结果。所制成的ＭＯＳ管的漏Ｐ－Ｎ结击穿电压可......
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