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[会议论文] 作者：章晓中,,
来源： 年份：2004
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[会议论文] 作者：章晓中;,
来源：2006年全国首届电磁材料及器件学术会议 年份：2006
任何物质在磁场下,它的电阻会改变,这称为磁电阻现象,这种磁电阻称为普通磁电阻(OMR),它的磁电阻率(MR)为正,大小一般小于2﹪,且具有MR正比于磁场平方的关系.1988年以来,人们相...
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：第十五届全国磁学和磁性材料会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：章晓中,
来源：第十四届全国磁学和磁性材料学术会议暨第二届全国磁热效应材料和磁制冷技术学术研讨会 年份：2011
文章利用磁电阻效应设计了一种硅基MR原型器件。此硅基MR器件可以在同一器件上在弱磁场和强磁场下用作磁传感器，而巨磁阻材料和有机磁组材料制备的磁传感器只能工作在弱磁......
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
磁传感器广泛应用于计算机读出磁头、电子罗盘、GPS导航、车辆探测系统等,其核心技术就是巨磁阻效应,该效应的发明人获2007年诺贝尔物理奖.通过在硅材料里面引入p-n结来改变...
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：章晓中,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
磁传感器广泛应用于计算机读出磁头、电子罗盘、GPS导航、车辆探测系统等,其核心技术就是巨磁阻效应,该效应的发明人获2007年诺贝尔物理奖.通常巨磁阻材料是用磁性金属材料制备的,半导体材料虽然也可以有磁电阻,但是数值太小,没有应用价值.......
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：中国物理学会2011年秋季学术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：章晓中,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
众所周知，磁性材料的磁电阻可以在1mT 的低磁场下达到 600％，而半导体材料的磁电阻虽然可以高达 10000％，但是需要几十mT 的较大的磁场，能否在1mT 的低磁场下达到10000％的超大磁阻？我们结合磁性材料的反常霍尔效应和半导体二极管的非线性效应，在PMA 材料(Ta/CoFeB/MgO)上制......
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：2014中国功能材料科技与产业高层论坛 年份：2014
以2007年诺贝尔物理奖得主Fert和Grtünberg在1988年发现的巨磁电阻(GMR)效应为开端,国际上掀起了自旋电子学的研究高潮,廿一世纪以来自旋电子学的研究重点向半导体自旋电子学转移.我们发明了用硅制备的二极管辅助的几何增强磁电阻器件,该器件在0.06特斯拉和7特......
[会议论文] 作者：栗粟,章晓中,
来源：第四届全国氧化锌学术会议 年份：2009
本文给出了一种无催化剂直径可控制备小尺寸ZnO纳米线阵列的方法，提出在用自催化气一掖一固机制合成ZnO纳米线的过程中，Zn蒸气过饱和度是决定纳米线直径的关银因素。...
[会议论文] 作者：姜凝,章晓中,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
六方HoMnO3 是一种同时具有铁电性和反铁磁性的多铁性材料,它潜在的应用前景使其在近年来引起了科学界的广泛关注.本文通过经典的原子模拟技术对六方HoMnO3 晶体中的各种本征...
[会议论文] 作者：章晓中,刘军,
来源：2002年中国材料研讨会 年份：2002
我们采用了直接物理蒸发法制备了直径在50nm以下,在毫米大小区域内均匀分布的高纯度的ZnO纳米线膜层.所得ZnO纳米线大部分沿[0001]方向生长.我们研究了各实验参数对产物的影响,提出了分三步进行的VS生长机制.并应用类似方法制得了金属In纳米线,说明在该VS生长机......
[会议论文] 作者：章晓中,罗昭初,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
传统的硅基CMOS逻辑器件的因为尺寸越来越接近其物理极限，持续发展遇到了巨大的困难，磁电子器件因为具有多功能、非易失、高速、低能耗等特点，基于磁电子逻辑器件的芯片有望......
[会议论文] 作者：薛庆忠,朱丹丹,章晓中,
来源：2002年中国材料研讨会 年份：2002
用热压方法制备了微米量级Fe-C复合材料,并研究了其中的巨磁电阻效应(GMR).实验结果表明:在微米量级Fe-C复合材料体系中同样存在巨磁电阻效应,当外加磁场强度为8T时,Fe-C复合...
[会议论文] 作者：章晓中;马钺;张丽娜;,
来源：2003中国钢铁年会 年份：2003
本文利用电子能量损失谱(EELS)和X射线能量色散谱(EDS)对CrMo合金结构钢的晶界性质进行了研究.通过采集晶界晶内的EELS谱,计算得到CrMo钢过渡元素铁的3d电子占据态密度,并将...
[会议论文] 作者：张丽娜,马钺,章晓中,
来源：2003中国钢铁年会 年份：2003
本文利用透射电镜(TEM)和电子能量损失谱(EELS)以及X射线能量色散谱(EDS)对珠钢CSP工艺生产的新一代普通碳素钢的显微结构及析出相进行了研究.对取自CSP不同工艺阶段的ZJ330...
[会议论文] 作者：朱丹丹,章晓中,薛庆忠,
来源：全国第三届纳米材料和技术应用会议 年份：2003
利用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si(100)上制备了Co-C颗粒膜,并研究了其正磁阻效应(PMR).实验结果表明,样品在室温下的正磁阻效应要远远高于低温下的正磁阻效应;Co-C样品具有最大的室温正磁阻效应,在外加磁场B=1T时,其磁阻率MR=22﹪;随着Co含量的增加,Co-C颗粒膜的正......
[会议论文] 作者：谭新玉,章晓中,高熙礼,
来源：中国物理学会2011年秋季学术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：陈娇娇,章晓中,朴红光,罗昭初,
来源：第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 年份：2014
目前在许多非磁性半导体中观察到了反常磁阻效应,例如半金属铋,石墨烯,砷化镓,锑化铟,和硅[1].和传统的磁性材料相比,研究非磁性器件的磁阻效应有以下两个优点:一是在非磁性...
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