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[会议论文] 作者:田建,毕津顺,罗家俊, 来源:第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份:2011
  随着器件特征尺寸的不断缩小,栅氧化层的厚度也随之不断减小,薄栅介质的可靠性成为研究的重点之一。综述了薄栅氧器件的击穿机理、物理模型和栅氧寿命的数学模型。...
[会议论文] 作者:毕津顺,罗家俊,韩郑生, 来源:第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份:2014
脉冲激光模拟单粒子效应系统能够有效获得集成电路内部单粒子效应的时间和空间信息,是加速器重离子模拟手段的主要补充.本文重点对比研究了脉冲激光模拟单粒子效应和空间重离...
[会议论文] 作者:罗家传,崔晓东,倪闪闪,罗家俊, 来源:第七届全国小麦遗传育种学术研讨会 年份:2015
[会议论文] 作者:罗家俊;李晓民;仇玉林;陈潮枢;, 来源:第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份:2001
本文提出了一种新型的自举式Adiabatic逻辑电路——Pass Transistor-Bootstrap Charge Recovery logic(PT-BCRL),该电路的操作分为两级,第一级负现逻辑值的运算,采用传统的EC...
[会议论文] 作者:李松,曾传滨,倪涛,罗家俊,韩郑生, 来源:第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份:2014
当陶瓷封装的浮空金属盖板承受人体模型(Human Body Model,HBM)应力时,器件的失效电压会大幅下降,本文提出静电测试仪和实际人体等三种情况下的“火花放电诱导模型”进行失效...
[会议论文] 作者:倪涛,曾传滨,张晴,孙佳星,罗家俊, 来源:ESD-S第五届静电防护与标准化国际研讨会 年份:2016
常规功率器件测试系统脉宽过大,进行闩锁测试会出现热烧毁现象,而大功率传输线脉冲发生器(TLP)脉宽短且电流大,能够诱发闩锁且不发生热烧毁,是功率器件闩锁测试的理想设备.单...
[会议论文] 作者:曾传滨,毕津顺,姜一波,罗家俊,韩郑生, 来源:第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份:2011
  研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)SCR结构ESD特性,提出了一种新的SCR结构,并测试出了其ESD,1-V特性和抗闩锁性能。该结构通过采用VSTI层减薄沟道区厚度,可以很容易获得维持...
[会议论文] 作者:毕津顺,范紫菡,曾传滨,罗家俊,韩郑生, 来源:第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份:2011
  利用Synopsys TCAD工具,对基于中国科学院微电子所开发的0.35μmPDSOI器件工艺进行单粒子翻转的模拟和分析。结合激增电流的物理意义,提出合理的数学模型,推导出描述此电流...
[会议论文] 作者:谢朝辉;刘海南;杨婉婉;赵发展;刘刚;罗家俊;韩郑生;, 来源:第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份:2014
大规模数字集成电路单粒子效应地面模拟试验,是电子器件可靠性试验的重要组成部分,是集微电子、核物理、实验方法等为一体的系统工程.随着电子器件复杂度的提高,对地面模拟试...
[会议论文] 作者:刘梦新,梅博,赵发展,宋文斌,刘刚,罗家俊,韩郑生, 来源:第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份:2014
基于中国科学院微电子所0.18μm PDSOI CMOS工艺,实现一种超薄栅氧VSTI CMOS器件结构.电离总剂量辐照试验结果表明,300K rad(Si)辐照后NMOS器件的阈值电压漂移较小,关态漏电...
[会议论文] 作者:高林春,杨娜,曾传滨,毕津顺,刘刚,罗家俊,韩郑生, 来源:第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份:2014
本文利用脉冲宽度为15ps的532nm波长激光脉冲单粒子效应测试系统,在0.18μm PDSOI工艺制造的不同器件上测试了激光脉冲单粒子效应.通过实验结果的比对分析,明确了各工艺层、...
[会议论文] 作者:高博;王立新;刘刚;罗家俊;韩郑生;张彦飞;王路璐;邓海涛;, 来源:第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份:2014
本文研究了功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应,探讨了不同粒子,不同LET值、不同入射深度、不同注量条件下,功率VDMOS器件单粒子辐射损伤差异.实验结果表明:当不同粒子照射器件...
[会议论文] 作者:曾传滨,高林春,闫薇薇,杨娜,赵发展,刘刚,罗家俊,韩郑生, 来源:第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份:2014
本文通过对SRAM芯片背面进行减薄去除衬底处理,直接从集成电路背面将532nm激光作用在PDSOI SRAM有源区,测试出了不同PDSOI SRAM电路单光子吸收激光脉冲翻转所需能量.并将上述...
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