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[会议论文] 作者：肖梦,谭明,陆书龙,卢建娅,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
柔性 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池可以继承 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池超高的转换效率和卓越的空间抗辐射能力，空间和地面上应用空间更为广泛，在太阳能电池领域占领极其重要的地位。大多数 Ⅲ......
[会议论文] 作者：季莲,吴渊渊,谭明,陆书龙,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：肖梦,卢建娅,谭明,陆书龙,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
柔性 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池可以继承 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池超高的转换效率和卓越的空间抗辐射能力，空间和地面上应用空间更为广泛，在太阳能电池领域占领极其重要的地位。大多数 Ⅲ-Ⅴ 族柔性电池是通过衬底剥离和金金键合的方法将外延层转移到有机衬底上，正负电极同侧。但......
[会议论文] 作者：代盼,陆书龙,季莲,何巍,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
我们报道了利用分子束外延方法(MBE)生长的GaAs/GaInP 双结太阳电池的最近结果.在一个太阳AM1.5G 下，光电转换效率达到27％.同时，单结的GaAs底层电池和GaInP顶层电池也分别达到26％和16.6％的效率.基于理想电池的能量转化和底层电池与顶层电池的特性分析了GaAs/GaInP双......
[会议论文] 作者：代盼,陆书龙,谭明,吴渊渊,季莲,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：朱亚旗,陆书龙,季莲,赵勇明,谭明,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文主要研究了在InP衬底上利用MOCVD外延技术成功生长了晶格失配大于1.1％厚度约为3微米的In0.68Ga0.32As薄膜材料；通过As组分的改变，在InAsxP1-x缓冲层中形成了张应变和压...
[会议论文] 作者：何巍,陆书龙,江德生,董建荣,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文利用光荧光(PL)和拉曼(Raman)研究了Ge衬底上生长的掺硅GaInP 的光学性质.实验发现,1.4Ev处的宽发光峰的强度与是否掺硅有关,我们认为它由[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]络合物引起.同时,Raman 光谱证实掺硅GaInP 中存在[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物.[Ge(Ga,In)-V(Ga......
[会议论文] 作者：代盼,陆书龙,季莲,吴渊渊,谭明,杨辉,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
由于理论限制，三结电池的聚光效率已经达到极限。开发更多结的电池，使用更多能量逐渐增加的带隙组合吸收更宽的太阳光谱是实现更高的效率的重要途径。然而，由于带隙较高的材......
[会议论文] 作者：季莲,陆书龙,赵勇明,任学勇,董建荣,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
本文描述了近期在InGaAs热光伏的生长、制备和器件特性方面做得工作。采用组分渐变的InAsP缓冲层，生长出器件级质量的In0.81Ga0.19As材料，并制备了禁带宽度为0.6eV的热光伏电池...
[会议论文] 作者：赵勇明;陆书龙;季莲;任雪勇;董建荣;,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
本文研究了MOCVD技术在InP衬底生长的晶格失配的InGaAs热光伏电池材料和不同组分的InAsxPl-x(x=7.62～32.5)外延层。通过优化InAsxPl-x缓冲层结构，在InP上建立了与In0.68Ga0.32A...
[会议论文] 作者：代盼,陆书龙,罗向东,季莲,谭明,吴渊渊,杨辉,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
通过时间分辨发光(TRPL)和温度依赖的电流电压特性研究了分子束外延生长的GaInP电池中的光学性质和载流子输运特性.由于其较低的界面复合GaInP/AlInP异质结比GaInP/AlGaInP的...
[会议论文] 作者：谭明,吴渊源,季莲,代盼,卢建娅,王青松,陆书龙,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：何巍,陆书龙,董建荣,赵勇明,任雪勇,杨辉,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
本文研究了利用MOVPE技术在Ge衬底上生长GaInP薄膜的结构及表面性质。高分辨透射电镜(TEM)结果显示Ge衬底上生长的GaInP材料没有发现反向筹(APDs)和位错。原子力显微镜(AFM)结果表明,GaInP外延簿膜的表面形貌主要受GaInP本身性质的影响。掺Si不仅可以增加GaInP......
[会议论文] 作者：陈俊霞,贾少鹏,江德生,边历峰,陆书龙,杨辉,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文通过时间分辨谱(TRPL)研究了采用金属有机气相外延(MOVPE)法生长的超薄AlAs界面层对Ge基GaInP外延层的超快光学特性的影响.低温下不同延迟时间分辨谱研究表明,有序GaInP...
[会议论文] 作者：季莲;吴渊渊;代盼;谭明;边历峰;陆书龙;杨辉;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文分别采用InP和InAlAs作为背场生长InGaAsP太阳电池.InP作为背场的InGaAsP电池开路电压0.545V,短路电流44.51 mA/cm2,转换效率达到18.8％,性能优于InAlAs作为背场的电池...
[会议论文] 作者：吴渊渊,杨文献,季莲,顾俊,李宝吉,陆书龙,杨辉,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
共振隧穿二极管(RTD)是极具发展潜力的新型纳米器件,在高频振荡器、和高速数字电路等方面有着广阔的应用前景.GaN负阻器件同传统的GaAs负阻器件相比具有更高的工作频率和输出功率,可以达到102～103mW.相对于已报道的AlGaN/GaN材料体系,In组分为17％的InAlN与GaN晶格......
[会议论文] 作者：谭明,朱亚旗,季莲,赵勇明,何巍,陆书龙,陈治明,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
在InP衬底上通过金属有机物化学汽相淀积(Metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)的方法制成了能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As热光伏电池,对其光伏特性的研究表明,...
[会议论文] 作者：谭明,季莲,赵勇明,何巍,朱亚旗,陈治明,陆书龙,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
在InP衬底上通过金属有机物化学汽相淀积(Metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)的方法制成了能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As热光伏电池,对其光伏特性的研究表明,通过基区宽度的优化,减小了基区的串联电阻,从而大幅改善了热光伏电池的性能.在AM1.5G标准......
[会议论文] 作者：黄建亮,马文全,张艳华,曹玉莲,刘珂,黄文军,陆书龙,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
本文报道了采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb衬底生长InAs/GaSb二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(＜2微米),短波(2-3微米)以及中波(3-5微米)红外探测.在77...
[会议论文] 作者：顾俊,吴渊渊,杨文献,李宝吉,代盼,罗向东,陆书龙,杨辉,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
InAlN/GaN异质结在制作高迁移率晶体管(hemt)上有独特优势,当In组分为18％,时,InAlN与GaN晶格匹配,可以克服界面陷阱、电流崩塌效应等传统氮化物hemt器件遇到的问题；同时,依...
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