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[会议论文] 作者：Anqi Wang,Zhanguo Wang,Ke Lan,
来源：首届全国羌医药学术研讨会 年份：2012
The power of chemical profiling in characterizing the samples chemical pools has greatly raised the interests of phytomedicine researchers.Unfortunately, the semi-quantitative nature of chemical profi...
[会议论文] 作者：Feng-Qi Liu,Ning Zhuo,Zhanguo Wang,
来源：International Conference on Nanoscience & Technology,China 2 年份：2013
Quantum cascade lasers are semiconductor laser sources based on intersubband transitions in multiple quantum well systems.Their unique operation principle and good performance have established themsel...
[会议论文] 作者：Peng Jin,金鹏,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
综述了本实验室近年来在宽增益谱量子点材料以及量子点超辐射发光管、宽带可调谐外腔量子点激光器、锁模外腔量子点激光器等宽增益谱器件方面的研究进展。研制的量子点超辐射发光管的发光波长基本上覆盖0.87～1.3 m波段，不同器件的光谱宽度从几十nm至140 nm。双注......
[会议论文] 作者：Wan Hua,Huiling Hu,Fang Chen,Lin Tang,Tong Peng,Zhanguo Wang,
来源：第二届羌医药学术研讨会 年份：2015
In this work, a high-speed countercurrent chromatography (HSCCC) method was established for the preparation of phorbol esters (PEs) from Jatropha curcas.n-Hexane -ethyl acetate-methanol-water (1.5∶ 1....
[会议论文] 作者：Fei Gao,Jinming Zhang,Zhanguo Wang,Wei Peng,Huiling Hu,Chaomei Fu,
来源：2013年全国博士生学术论坛——中药资源系统研究与开发利用 年份：2013
With the high morbidity and mortality caused by cancer,finding more and better anti-cancer drugs is very urgent.In current research,biotransformation plays a vital role in the research and development...
Metabolomics assisted quality assessment of Rhodiola rosea extracts by high performance liquid chrom
[会议论文] 作者：Zhanguo Wang,Huiling Hu,Fang Chen,Liang Zou,Mingfu Yang,Anqi Wang,Ke Lan,
来源：首届全国羌医药学术研讨会 年份：2012
In this work, a fast and sensitive high performance liquid chromatography coupled with multivariate analysis was utilized to assist the quality assessment of 10 bathes of Rhodiola rosea extracts (RREs...
10 × 100 mm 4H-SiC Epitaxial Growth by Warm-Wall Planetary Reactor for the Fabrication of Unipolar P
[会议论文] 作者：Guosheng Sun,Lin Dong,Jun Yu,Guoguo Yan,Xinhe Zhang,Xiguang Li,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
Wide-band gap 4H-SiC has been attracted much attention for high-power and high-temperature electronic devices due to its excellent electrical and thermal properties.This paper presents 4H-SiC CVD epit...
[会议论文] 作者：Ning Zhuo,Feng-Qi Liu,Yinghui Liu,Jinchuan Zhang,Lijun Wang,Junqi Liu,Shenqiang Zhai,Zhanguo Wang,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
Quantum cascade lasers, based on intersubband transitions in multiple quantum well systems, are the leading tunable coherent semiconductor laser source in t...
[会议论文] 作者：Shuai Luo,Haiming Ji,Tao Yang,Zhanguo Wang,罗帅,季海铭,杨涛,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子点材料。进一步，通过引入两温盖层生长技术成...
[会议论文] 作者：Shuai Luo,罗帅,Haiming Ji,季海铭,Tao Yang,杨涛,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子点材料。进一步，通过引入两温盖层生长技术成功地实现了对量子点材料尺寸分布的控制，使量子点芯片的光致荧光(PL)均匀性和可重复性均得到......
[会议论文] 作者：Xiaoguang Yang,Tao Yang,Kefan Wang,Zhanguo Wang,杨晓光,杨涛,王科范,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文通过Si掺杂技术大幅提高了InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的性能。与同结构、无掺杂的参比电池相比,采用合适的Si掺杂技术,InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的...
[会议论文] 作者：Xiaoguang Yang,杨晓光,Tao Yang,杨涛,Kefan Wang,王科范,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文通过Si掺杂技术大幅提高了InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的性能。与同结构、无掺杂的参比电池相比,采用合适的Si掺杂技术,InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的开路电压由0.67V提升至0.84V,效率由11.3％显著提升至17.0％。这种提升主要源于量子点材料缺陷......
[会议论文] 作者：Guoguo Yan,Zhanguo Wang,Guosheng Sun,Xinfang Liu,Feng Zhang,Lin Dong,Liu Zheng,Wanshun Zhao,Lei Wang,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
Multi-wafer heteroepitaxial growth of 3C-SiC layers on Si(lll) substrates were performed by employing a novel home-made warm-wall low pressure chemical vapor deposition (WLPCVD) system with a rotating...
[会议论文] 作者：Yingxia Yu,于英霞,Zhaojun Lin,林兆军,Chongbiao Luan,栾崇彪,Hong Chen,陈弘,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文考虑到电场对AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于quasi-2-D模型,对AlGaN/AlN/GaN HFETs的I-V特性进行了模拟计算,结果表明,使用修正后的迁移率模型计算得到的I-V特性与测试曲线拟合得较好。对线性区内2DE......
[会议论文] 作者：Sanlei Gao,Zhaojun Lin,Zhifang Cao,Chongbiao Luan,高三垒,林兆军,曹芝芳,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表...
[会议论文] 作者：Sanlei Gao,高三垒,Zhaojun Lin,林兆军,Zhifang Cao,曹芝芳,Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左右,时间常数T～0.5-0.6us,界面缺陷态密......
[会议论文] 作者：Jingtao Zhao,Zhaojun Lin,Chongbiao Luan,赵景涛,林兆军,栾崇彪,Zhihong Feng,Yuanjie Lv,冯志红,吕元杰,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起...
[会议论文] 作者：Jingtao Zhao,赵景涛,Zhaojun Lin,林兆军,Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Yuanjie Lv,吕元杰,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑场。同AlGaN/AlN/GaNHFET器件......
[会议论文] 作者：Chongbiao Luan,Zhaojun Lin,Jingtao Zhao,栾崇彪,林兆军,赵景涛,Zhihong Feng,Yuanjie LV,冯志红,吕元杰,Hong Chen,陈弘,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷...
[会议论文] 作者：Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhaojun Lin,林兆军,Zhihong Feng,冯志红,Yuanjie LV,吕元杰,Jingtao Zhao,赵景涛,Hong Chen,陈弘,Zhanguo Wang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧姆接触工艺息息相关，而且边欧姆接触大大降低了AlGaN/AlN/......
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