PCRam相关论文
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采用高效、低成本的紫外压印技术(UV-IL)在2 in.Si/Si O2基Ti/Ti N/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8 M/In2的AMONIL点阵......
In this letter, a phase change random access memory(PCRAM) chip based on Ti0.4Sb2Te3 alloy material was fabricated in a ......
设计了基于1T1R结构的16kb相变存储器(PCRAM)芯片及其版图。芯片包括存储阵列、外围读写控制电路、纠错电路(ECC)、静电防护电路(E......
采用高效、低成本的紫外压印技术（UV—IL）在2in．Si／SiO2基Ti／TiN／Si2Sb2Te5（SST）多层膜表面制备了密度为3．8M／In^2的AMONIL点阵结构，并通过反......
传统存储器包括DRAM， SRAM， NAND，已经拥有几十年的历史，随着在各种数字设备和系统中的广泛应用，产品不断更新换代，尺寸越来越小，成本越来......
采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2Te薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化.Sb2Te薄膜的结晶......
文章提出一种具有非对称结构的新型相变存储器单元结构,并通过有限元方法对该非对称结构相变存储单元进行了三维电热模拟。模拟结......
近年来，由于处理器性能和存储性能之间的差距不断扩大，存储系统成为计算机整体系统性能提升的瓶颈．随着微电子技术的迅速发展，新型非易......
采用光刻、溅射以及剥离等微纳制备及加工工艺,实现了非对称结构相变存储单元的制备,并对该非对称相变存储单元进行了直流及脉冲电......
近十几年来,随着集成电路工艺技术的不断发展,半导体器件单元尺寸随之减小。传统存储方式如SRAM、DRAM和Flash已经逼近物理极限,很......
<正>存储器是一个新兴产业,也是集成电路最重要的技术之一。宋志棠团队研发的相变存储器及存储材料,综合性能指标已达到国际先进水......
在物联网、大数据和人工智能(AI)的推动下,从交通运输、医疗保健到零售和娱乐等众多行业将走上转型之路,我们将其统称为AI计算时代......
