本文从理论上证明中能弹性背散射电子的角分布可以用来分析样品中原子的浓度,并对金、铜及金铜合金进行了分析。结果表明中能弹性......

介绍中能电子与乙烯分子的散射全截面绝对测量,给出1100～1400eV电子对乙烯分子的绝对散射全截面.实验结果的系统误差和统计误差均约......

本文从理论上证明中能弹性背散射电子的角分布可以用来分析样品中原子的浓度,并对金、铜及金铜合金进行了分析。结果表明中能弹性......

介绍中能电子与氖和氩原子碰撞的散射全截面测量，分别给出８００－２６００ｅＶ电子对氖和氩原子的绝对散射全截面，实验结果的系统误差约为２．０％，统计误差约为２．５％，还......

利用小孔成像原理对中能电子成像仪探头的机械结构进行了设计,为保证探头单元暴露于外辐射带辐射环境12年的总剂量小于5krad,确定......

使用MC法模拟了中能电子的多次散射过程，对不同能量中能电子在多次散射条件下的探测结果进行了比较。使用电子加速器对研制的中能电......

对中能电子与二氧化碳分子碰撞的散射全同测量，给出５００－４２５０ｅＶ电子对ＣＯ２的绝对散射全截面。对测量结果作了曲线拟合，并与已有的实验和理论结果进行......

介绍中能电子与的氧分子的散射全截面测量，给出７００－２０００ｅＶ电子对氧分子的绝对散射全截面，高于１６００ｅＶ能区没有同类数据的文献报道。......

介绍中能电子与乙烯分子的散射全截面绝对测量，给出１１００～１４００ｅＶ电子对乙烯分子的绝对散射全截面。实验结果的系统误差和统计误差均约为４％。本结果......