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Ⅲ族氮化物材料是直接带隙半导体，其带隙宽度从0.7eV(InN)到6.2eV(AlN)连续可调，发光范围从近紫外到红外，覆盖了整个可见光波段，是制备......
本文简述了MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论,总结了国内外CdTe缓冲层的位错抑制技......
半导体纳米材料,因其具有传统的半导体材料所不具备的特殊电子结构以及光学特性,使其在现代信息科技领域特别是纳米光电子学领域展......
