低功耗器件相关论文
在过去的六十年间,硅基半导体互补场效应（CMOS）场效应晶体管沿着摩尔定律,朝着器件尺寸不断微缩、晶体管密度不断增加的方向快速发展......
由于工作环境的特殊性,各种监测电力输配电线路的终端采集装置需要尽可能地降低功率消耗,延长工作时间.本文介绍了几种实现嵌入式......
本文介绍了单电源低功耗器件型三轴磁通门磁传感器在电路优化选型设计、电路和探头结构工艺方面的一系列改进,给使用带来了极大的......
随着MOS集成电路的集成度不断提高，器件特征尺寸的不断缩小，MOS器件中的短沟道效应、DIBL效应等二级物理效应日益严重，MOS器件按比例......
ARINC429是目前最常用的一种航空通信总线，它具有简单有效，性能可靠等特性。利用ARINC429总线，飞控系统同各机载设备进行通信，但不同设......
为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道MOSFET器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件......
CATV HFC数字网络建设对传统的非线性指标和数字失真指标提出了更高的要求,同时,新的网络改造和建设要求系统具有更低功耗和更高可......
研究了在LPLV CMOS工艺中,用表面沟PMOS管工艺使NMOS管的阈值电压发生偏移的问题.在使用表面沟PMOS管的LPLV CMOS工艺中,NMOS管的......
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<正>随着开关电源向高频、小型化发展,其功率密度不断提高,电源发热问题变得不可忽视。温度是影响开关电源可靠性的重要因素之一。......
铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60mV/dec的理论极限,是未来突破晶体管工作电压VDD和功耗的关键技术之一。自2008年铁电负电容......
环境中的振动无处不在，将振动转换为电能可为低功耗设备提供永不枯竭的能量。本文介绍了振动能量采集技术的应用领域、描述了振动转......
