共源共栅相关论文
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计并制备了一款2～18 GHz的超宽带低噪声放大器（LNA）单片微波集成电路（MMIC）。该款放......
采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺设计并制造了一款新型达林顿放大器芯片。该达林顿放大器第二级采用了共源共栅结构,引入了负......
采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺设计了一款0.5～5 GHz高增益宽带低噪声放大器芯片.该放大器采用三级共源结构,运用负反馈技术有效地进......
射频功率放大器的能耗占据整个射频前端能耗的主要部分,其效率对整个前端系统的效率影响巨大,同时高带宽利用率的调制方式对功率放......
为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5～4.3 GHz驱动功率放大器(power amplifier,PA),该......
期刊
基于65 nm CMOS工艺,设计了一款工作频率为33～48 GHz的毫米波宽带低噪声放大器.采用两级共源共栅(cascode)结构,使用噪声减小技术优......
近些年,人们对高速率通信有了越来越大的需求,毫米波频段因其具有频段资源丰富、传输速率高等优点逐渐成为无线通信系统的发展方向......
基于UMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款用于全球卫星导航系统(GNSS)的宽带低噪声放大器(LNA).其中,采用并联反馈电阻噪声抵消结构......
设计了一种用于高速采样保持电路宽带高增益的跨导运算放大器,采用两级放大电路,共源共基和共源共栅电路来实现的。利用0.35um Bi ......
采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1～6 GHz的高线性度射频放大器.结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器......
设计了一种基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺的S波段高增益单片微波驱动放大器(Drive Amplifier,DA)。该放大器......
激光器驱动电路是光通信系统中发射端的重要部件,为了适应高速电/光转换的需求,基于28 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了......
采用0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计并实现了一种应用于5G通信2.2～4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(......
分析并设计了一种带共模反馈电路的CMOS全差分运算放大器.该运算放大器采用套筒式的共源共栅放大器和DDA结构的共模反馈电路,从而......
介绍了五阶Σ-Δ调制型模数转换器中放大器的设计过程。引入一种新型的采用交叉耦合差分输入负电阻负载的运放
The design proces......
设计实现了一种低压差分信号(LVDS)单芯片收发器接口电路。由于采用低压差分信号传输技术,在获得更高收发器芯片传输速率的同时进......
采用0.18μm SMIC数模混合与射频(RF)CMOS工艺实现了一个应用于ISM(工业、科学和医疗)频段接收机的433MHz低功耗低噪声放大器(LNA)......
采用SMIC0.13μm CMOS工艺,设计了一种低功耗的鉴频鉴相器和电荷泵电路。其中电荷泵采用与电源电压无关的基准电流源电路,引入运算......
针对无源光网络(PON)设计了10 Gbit/s的突发模式前置放大器. 为了获取大动态范围和快速响应,电路采用DC耦合结构,并设计了一种反馈......
基于0.5μm CMOS工艺,设计了一款应用于便携式激光雷达测距仪的单芯片全集成前置放大电路系统。该芯片主要由前置跨阻放大器(TIPA)......
采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种连续速率时钟与数据恢复(CDR)电路。该CDR电路主要由半速率鉴频鉴相器、多频带环形压控振荡......
噪声和不匹配是流水线ADC中的重要误差源,采用Matlab软件对它们进行了计算和系统仿真.为了在没有降低表现的情况下控制功耗,采用了......
陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA用标准90-nm RF CMOS工艺实现并具有如下特征:在28.5~......
基于CSMC 0.5μm FEOL/0.35μm BEOL Mixed Signal工艺,利用gm/ID设计方法,即以工艺库中BSIM3V3模型数据绘制出的gm/ID~Vgs关系曲......
介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和......
摘 要：文章通过分析共源共栅功率放大器的基本原理，提出了一种新颖的基于cascode级间电路结构，通过优化电路级间的阻抗匹配的设计思路......
随着人工智能和集成电路行业的迅速发展,各种各样的智能家居和便携式电子产品涌进了广大人们的生活中,它们不仅改变了人们的生活娱......
功率半导体器件是电力电子变换器的核心,因此半导体器件的性能往往也决定着整个变换器的性能。新型宽禁带GaN材料器件与传统Si器件......
英飞凌科技股份公司日前宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前,英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模......
基于0.25μm GaAspHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器.该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结......
首先测试了Cascode结构的氮化镓增强型高电子迁移率晶体管(GaN E-HEMT)的输出、转移特性曲线,分析了导通电阻、输入电容等影响开关......
期刊
本文中的电路采用共源共栅结构作为负载结构,设计并实现了一个高性能的CMOS带隙电流源.此电路基于Charlerd COMS 0.35混合信号模型......
本文给出高速光纤通信接收机中20Gb/s前置放大器的设计方法与仿真结果。该放大器采用fT为60GHz的GaAs pseudo-high-electron mobil......
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨......
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),和功率转换器专家Transphorm,先前宣布双方建立了合作关系,把基于氮化镓(GaN)的......
采用华润上华0.6μm CMOS工艺,设计实现了一种用于神经信号再生微电子系统的低功耗、高增益功能电激励电压驱动电路.它可以用于驱......
随着CMOS集成工艺的进一步发展，逐次逼近型模数转换器变成了目前数据转换器研究领域的热点之一。由于逐次逼近型模数转换器的高度数......
本文主要讨论了共源共栅源极去耦COMS低噪声放大器(LAN)的噪声系数的优化方法,进行了如下几项工作:
研究了现有的LNA拓扑结构......
光接收机是光通信系统的重要组成部分，而前置放大器作为光接收机的关键模块，其性能很大程度上决定了光接收机乃至整个光通信系统的性......
随着便携式电子产品的迅速发展,直流稳压芯片也越来越重要,低压差(Low Dropout,LDO)线性稳压器由于具有输出稳定、电压纹波小等优......
利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高......
带隙基准源是集成电路的基本组成部分.在此对传统CMOS带隙基准源电路的分析和总结上,基于无锡上华的0.5 μm混合CMOS工艺,应用电流......
设计了一种2.4 GHz低功耗可变增益跨阻放大器。该放大器为两级放大结构,主要应用于电流模式发射机后端的电流-电压信号转换及放大......
采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,提出了一种基于衬底驱动放大器的高精度带隙基准(BGR)电路。采用衬底驱动技术的放大器,有效地降低了电......
