厚胶相关论文
介绍了一种晶圆上厚胶边缘的去除方法（7～20μm），结合化学去除和边缘曝光二者的优势。与现有技术相比，缩短了厚胶边缘光刻胶去除的时间，通......
微光机电系统通常采用紫外或X射线光刻技术制作,不同于一般的集成电路加工,其所用光刻胶之厚度达数十微米以上,因此有必要对用于微......
随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用。针对高深宽比柱状微结构在光刻胶......
随着太赫兹技术(THz)的发展,真空电子器件的研究越来越小型化,作为核心部件的折叠波导由于具有独特的优点,在高频结构中必将得到广......
红外焦平面器件互连技术首先要在探测器芯片和Si读出电路上制作In柱,然后用倒装焊将两者In柱一一对焊,使探测器芯片和Si电路连接成......
本文根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术:M-PEL.实验实验证明,M-PEL技术可在单层......
在过去的几年中人们已经有几次预言由于受到物理限制单个晶片的尺寸不可能再缩小,但实际上芯片的尺寸还一直在缩小中.国际半导体技......
驻波效应是抗蚀剂在曝光过程中的寄生现象.一般认为,驻波效应对薄胶的光刻图形有较大的影响,而对厚胶的光刻图形影响不大.根据DILL......
随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用.针对高深宽比柱状微结构在光刻胶......
介绍了一种间歇悬浮式厚胶显影工艺,采用该种显影工艺,对使用SU-8光刻胶进行涂胶,胶层厚度大于30μm的晶片进行显影。显影后的晶片......
在高集成的射频微机电系统RF MEMS(Radio Frequency Micro Electro Mechanical System)器件的发展趋势下,三维集成工艺的研究越来......
