反向漏电相关论文
氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......
利用高质量自支撑GaN衬底,通过外延方法制备了垂直结构的GaN基p-i-n型二极管结构.通过对材料结构、杂质浓度分布以及对器件整流特......
作为整流电路、限幅电路等的核心器件,大功率氮化镓肖特基二极管(GaN based Schottky Barrier Diode,SBD)近年来得到了广泛关注。......
本文介绍基于量产的N型电池技术研发的IBC电池,其全部工艺都是在量产线上完成,与现有产线完全兼容,电池转换效率22.37％,电池尺寸156......
着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老......
随着GaN基LED器件在照明领域的广泛应用，LED器件作为第三代半导体照明器件引发了照明革命，高功率LED器件成为了GaN基LED器件发展和研......
高压硅堆在使用过程中要求反向漏电尽可能小,我公司经过大量分析研究,找到了影响漏电的关键因素,制作高压硅堆的原材料硅片和扩散......
采用有机金属化学气相沉积技术在Si（111）衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管（LED）结构,通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/G......
多晶硅太阳电池所使用的多晶硅材料往往因铸造过程中温度、应力等方面控制不佳，导致晶体缺陷形成。本文通过研究“黑丝”电池片以及......
本文介绍了ＩＳＶ８６ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管研制过程中为降低反向漏电所进行的理论分析。Ｓｃｈｏｔｔｋｙ终端结处的强场效应是产生漏电的主要原因，推算了无保护环Ｓｈｏｔｔｋｙ二极管终......
研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响。实验结果表明,采用氧等离子体及体积比（HF:NH4F）为1:7的BOE溶液对Al Ga N/Ga N异......
热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,通过TEM,PL,Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效......
