V形坑相关论文
研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V......
随着外延技术和结构设计不断的进步与突破,硅衬底InGaN基LED采用InGaN/GaN多量子阱(MQWs)作为有源区理论上可以覆盖从近紫外到近红......
全光谱LED照明是未来照明市场的一种趋势,然而全光谱照明所需求的黄绿光LED效率低下,这制约了全光谱LED照明的发展。因此,提升长波......
硅基氮化镓半导体,已被成功用于制造具有单面出光的高光效蓝光、绿光和黄光发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)。这种新型基础......
在弹性-脆性-损伤本构模型中,采用了由线性的莫尔-库仑剪切屈服函数和非线性的虎克-布朗屈服函数复合后的屈服函数,以适应高压应力......
利用金属有机气相化学沉积（MOCVD）技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影......
采用有机金属化学气相沉积技术在Si（111）衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管（LED）结构,通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/G......
近年来,发光二极管(LED)技术发展迅速,AlGa InN体系的紫光、青光、蓝光和绿光LED,以及AlGa InP体系的红光、橙光LED都能获得较高的......
随着光效的不断提升,GaN基LED在固态照明、显示等领域获得了广泛应用,为全球节能减排作出了重大贡献。根据美国能源部最新的LED效......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用FLAC模拟了不同水平方向压力（小于竖直方向压力）及岩石峰后不同脆性条件下的圆形巷道破坏过程。岩石服从莫尔-库仑剪破坏与拉破......
使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度,生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍......
以FLAC中的Mohr-Coulomb(M-C)本构模型为基础,在C++环境下实现了考虑拉伸截断的非线性本构模型的二次开发。针对应力及位移的分布......
随着技术的不断进步与突破,GaN基半导体材料在LED器件中广泛应用,其波长可实现从紫外到蓝光、绿光以及黄光范围内的调节。相较于蓝......
GaN基LED因为其耐潮、耐震、寿命长、节能环保和色度饱满等优势,在绿色照明和微电子等领域中的应用越来越普遍,其市场日益受到研究......
利用基于运动方程求解的FLAC程序模拟了不同弹性模量时圆形巷道的应变局部化过程。在计算中,采用了"先加载,后挖洞"方式。模拟结果......
利用FLAC模拟不同侧压系数条件下圆形巷道围岩破坏过程中的能量释放规律,着重考察V形坑及短剪切带形成过程中的剪切破坏的单元数及......
为了避免莫尔-库仑和虎克-布朗屈服准则各自的缺陷,采用C++语言对FLAC进行了二次开发,将它们复合在一起,提出了一种弹-脆-塑性的本......
本文利用FLAC中剪破坏与拉破坏复合的摩尔-库仑应变软化本构模型，在计算中采用“先加载，后挖洞”的方式，分别模拟了不同水平方向压力......
本文以FLAC中的Mohr-Coulomb本构模型为基础，在C++环境下实现了考虑拉伸截断的非线性本构模型的二次开发。针对应力及位移的分布规......
利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的......
利用FLAC模拟了两个不同直径圆形隧洞的剪切应变局部化过程。为了模拟隧洞开挖，利用编写的FISH函数删除隧洞内部的单元。岩石服从莫......
利用FLAC模拟了不同孔隙压力及围压条件下圆形巷道围岩的应变局部化过程。在计算中,采用了应变软化本构关系及＂先加载、后挖洞＂的方......
利用FLAC模拟了不同扩容角时圆形巷道的岩爆过程。为了模拟巷道开挖,利用编写的FISH函数删除巷道内部的单元。岩石服从莫尔库仑剪......
利用FLAC模拟了不同粘聚力条件下圆形巷道的局部化过程。为了模拟巷道开挖,利用编写的F ISH函数删除巷道内部的单元。岩石服从莫尔......
