多晶硅发射极相关论文
掺磷（砷）多晶硅形成NPN晶体管发射结是提高fT及双极集成电路工作速度的最佳途径之一，目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、......
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体......
采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷多晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管。该......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流......
介绍了互补双极工艺的发展过程、自身优势及其在产业中的应用，讨论了典型的现代互补双极工艺中的SOI全介质隔离和多晶硅发射极......
通过对多晶硅发射极工艺的研究，优化多晶硅淀积工艺，界面氧化层控制在3nm左右，穿透电阻降低到2.5Ω/口，有效提高了发射效率，实现多......
本文介绍了一种硅基锗硅异质结晶体管的结构.报导了与硅基单层多晶硅发射极工艺兼容的硅基锗异质结19级环振电路的研制、简要工艺......
本文介绍了一种运用于高压双极电路的结隔离3μm自对准多晶硅发射极双极互补工艺,采用该工艺技术制作的晶体管,其NPN管BV>50V、f=1......
该文研究了用UTT－40型超高真空镀膜机蒸发形成的多晶硅薄膜的高子注入掺杂和退火特性，并用多晶硅发射极制作了新型的高灵敏度光电晶......
该文介绍了ＲＴＰ技术在多晶硅发射极超高速双极电路研制中的几个应用。其中包括ＲＴＰ技术一次形成０．１μｍ发射结深度、０．２μｍ集电结深度、０．１μｍ基区宽度；ＲＴＰ技......
该文着重描述了用RCA化学清洗方法是如何制备出优化的超薄氧化硅膜的。同时，针对它在多晶硅发射极器件中的应用，通过时该膜在不同制......
采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法.利......
多晶硅发射极的使用不仅增大了双极晶体管的直流增益,而且为双层多晶硅自对准(DPSA)结构的实现提供了可能,DPSA结构能减小Bipolar......
该文深入研究了光电转换机制和光电晶体管的工作原理及直流特性,把多晶硅发射极、隔离环结构和穿通机制引入器件结构设计中,讨论了......
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容。利用超高真空化学气......
研究了掺砷多晶硅发射极 RCA晶体管的工艺实验技术 .以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础 ,在淀积发射极多晶硅之前 ,用 RCA氧化......
介绍了一种单层多晶硅ＣＭＯＳ工艺。该工艺采用Ｐ型衬底，Ｎ型Ｐ型双埋层，Ｎ型薄外延结构，掺杂多晶硅作为ＣＭＯＳ晶体管栅极和双极ＮＰＮ晶体管的发射极。ＣＭＯＳ晶体管采用......
研究了一种ＢｉＣＭＯＳ新技术，基区和发射区均通过发射极多晶注入，使形成的基区更浅，更窄；通过等平面氧化形成的鸟嘴，将版图设计中３．０μｍ，的发射极条宽“......
介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计.该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50 ns的输入输出延迟时间.该......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGeHBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，pVA乘积......
本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下载......
本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证，结果表明，用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误......
给出了E-B之间复合介质L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管......
本文介绍一种高性能２．０ｕｍＢｉＣＭＯＳ工艺。该工艺采用Ｐ型衬底Ｎ型Ｐ型双埋层，Ｎ型薄外延结构，掺杂多晶作为ＣＭＯＳ晶体管栅杉双极晶体管的发射极。ＣＭＯＳ晶体管源漏自对准......
本文描述了一种实现亚１００ｎｍ基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似ＢＳＡ（硼硅玻璃自对准）技术，可实现亚１００ｎｍ的基区结深，还可解决自对准器件在横向和纵向......
着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应，导出多晶硅发射极晶体管电流增益......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能的进行比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光晶体管，用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管......
掺磷（砷）多晶硅形成NPN晶体管发射结果提高fT及双极集成电路工作程度的最佳途径之一，目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，βVh乘......
研究了掺砷多晶硅发射极ＲＣＡ晶体管的工艺实验技术，以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础，在淀积发射极多晶硅之前，用ＲＣＡ氧化的方法制备了一......
采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷我晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化Ｐ波段脉冲大功率晶体管，该器件......
本文是文献［１］的续篇，给出了在多单晶硅发射极区域中涉动电流和存贮电荷的解析分析，将它们表示成发射结电压Ｖｂｅ的函数。在文献［１］中已知Ｖｂｅ决定于......
本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上，实现了结构设计和工艺选择，采用多晶硅发射极技术，研制成功了７７Ｋ下高增益（ＨＦＥ可达２５０）硅双极晶体管；采用......
把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获......
本文对SiGe/SiHBT及其Si兼容工艺进行了研究，在研究了一些关键的单项工艺的基础上，提出了五个高速SiGe/SiHBT结构和一个低噪声SiGe/S......
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素，分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性，研究表明，受载流子冻......
求文在消化、吸收入NSA工艺的基础上，根据现有设备重．点研究CD8690CP、CD8759CP等R极模拟VLSI制造过程中多晶硅发射极晶体管界面氧化......
我们拟采用最基本参数，饱和时间常数，和与此相关的半导体物理机理来分析双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为。全文分上......
以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏......
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上,根据国内现有的双极工艺水平,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程,......
