有效质量近似相关论文
当赝量子点材料具有结构反演不对称性时,电子自旋和轨道运动的相互作用即会引起Rashba效应,从而导致赝量子点的束缚极化子能级简并......
采用球型量子点模型, 应用有效质量近似理论, 研究了 (nc-Si/SiO2)/ SiO2多层量子点结构的激子能级和波函数。结果表明, 有限深势......
本文在有效质量近似下,通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=273 K,磁感应强度B=25 T,Si均匀掺杂的GaAs/AlGaAs量子......
采用经表面优化的对称球形团簇作Ｓｉ＿３Ｎ＿４，Ｓｉ晶态量子点的模型，利用紧束缚近似和ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了它们的电子结构，给出了导带底和价带顶位置随量子点尺......
利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有......
实验得到不同温度下应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的光伏谱，通过理论计算与实验结果的比较，对各谱峰进行了指认．本文着重考察各样品中１１Ｈ跃迁的激子谱峰的半......
在有效质量近似下，采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响．结果表明对于采......
在有效质量近似下，使用少体物理的方法，计算了在不同大小约束势情况下二维量子点三电子系统的自旋极化态的能谱．结果显示幻数角动量是......
给出了ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的数学－物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器......
在 WKB近似的理论框架下 ,提出了一个 MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型 .在这个模型中 ,空穴量子化采用了一种改进的单带有效......
在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进......
在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换方法研究了极性晶体量子点中强耦合激子的内部激发态性质,导出了极性晶体量子点中强......
在有效质量近似下,从理论上研究了非对称双三角量子阱的拉曼散射。推导了导带子带间电子跃迁的微分散射截面表达式,以GaAs/AlxGa1-......
选取Al0.3Ga0.7As/GaAs的非对称双量子阱结构,在有效质量近似条件下计入电子-电子相互作用所产生的Hartree势,采用转移矩阵方法研......
本文研究了双壳层核壳结构量子点带间自发辐射特性,采用有效质量近似理论计算了球形和圆柱形PbSe/CdSe/ZnSe核壳结构量子点的本征......
采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了......
在有效质量近似下,采用变分方法,研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质.基于计算能量和波函数,以典型的半导体材料砷化镓为例......
在量子环中电子与体纵光学声子强耦合的情况下,通过求解能量本征方程,得出电子的基态能量及其波函数,进而研究了量子环中极化子的......
本文采用六带K·P理论计算了耦合量子点在不同耦合距离下空穴基态特性,探讨了轻重空穴及轨道自旋相互作用对耦合量子点空穴基态反......
本文通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=0,有效质量近似下,Si均匀掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱系统的电子态结构.研究......
在有效质量近似下,采用三角势近似异质结界面处导带弯曲,并计及流体静压力效应,利用变分原理研究了有限高势垒GaN/AlxCa1-xN球形量......
在有效质量近似下,采用矩阵对角化方法,研究了半导体纳米环中激子的磁场效应.研究发现半导体纳米环中激子的谐振子强度随磁通变化......
在有效质量近似下,研究了应变纤锌矿GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中基态与第一激发态波函数、能级和导带内的子带光吸收及其压力效应,......
在有效质量近似和绝热近似下,利用转移矩阵法研究了电子通过In As/In P/In As/In P/In As柱形量子线共振隧穿二极管的输运问题,分......
金秋十月,2010年诺贝尔物理学奖谜底在斯德哥尔摩揭晓。据悉,一种叫做“石墨烯”的超级材料有幸与诺贝尔物理学奖结缘,从而再次为......
在有效质量近似和球形方形势模型下,计算了开放型球状纳米系统电子散射截面及电子按能量的概率分布,探讨了线度、势垒宽度对电子散......
用胶体化学法制得的SnO2水溶胶在其与空气的界面上能自发形成一层固态膜，将陈化不同时间的界面膜转移出来，采用紫外－可见光谱、X光电......
提出ρ和(Ze—Z_h)耦合试探波函数,计算了 GaAs/Ga_(I-x)Al_xAs量子阱中基态激子的结合能随阱宽和阱深的变化关系,并对所得结果进......
本文研究了间接带隙半导体ＡｇＢｒ由于空间尺寸的限制产生的吸收、荧光兰移，激子振子强度增强的量子尺寸效应．观察到由自旋－轨道分裂带至导带......
It is found that the SnO2 nanometer particle modified by chemical methods on its surface with a layer of steric acid mol......
在有效质量近似理论下 ,采用有效垒高方法 ,研究了在沿超晶格生长方向加一有限磁场时磁耦合效应对半无限半导体超晶格中表面电子......
在有效质量近似下，利用一维化Ｅｕｌｅｒ方程方法计算了ＧａＡｓ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结附近类氢杂质基态及２ｐ±态束缚能及其受像势的影响．在极限情况下，我们的结果可以重现......
通过用Numerov方法求解Schr(?)dinger方程计算了GsAs量子阱内的能级和波函数,详细地讨论了能级对各种参数——包括阱宽、势垒高度......
在有效质量近似下，利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算......
本文采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化．在７７Ｋ低温下，我们从稳态光荧光谱（ＰＬ谱）上直接......
在有效质量近似下，使用线性变分方法计算了处于ＧａＡｓ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡ＿ｓ球形量子点中不同位置的浅施主杂质的能谱结构，讨论了能级的简并度和不同情况下的能级......
在有效质量近似下，该文使用准对角方法计算了多电子圆盘人造原子在磁场中的能级结构，并与Monte-Carlo(MC)方不和Hartree-(HF)方法的......
本文利用Floquet理论、散射矩阵以及有效质量近似理论研究了磁性半导体异质结中光子辅助的量子输运特性。磁性半导体/半导体/磁性......
随着科学技术的发展,特别是量子算法、量子纠错的出现,量子信息和量子计算机成为理论和实验工作者的研究热点.与经典计算机相比,量......
本文采用线性组合算符方法，在有效质量近似下，深入广泛地研究了抛物形半导体量子点中强、弱耦合激子的基态性质。 第一章绪论，介绍......
