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在高速钢基片和〈100〉单晶硅片上,用多弧法在C2H2,N2,Ar的气氛中电弧蒸发Ti靶来制备沉积Ti(C,N)膜。总气压在1.2Pa内,起始镀膜温度为260℃。Ti(C,N)膜的晶格取向以除了〈111〉......
采用两种不同的沉积气体CH4 和C2 H2 分别在SUS3 0 4不锈钢基片上用多弧离子法沉积TiC硬质膜。XPS结果表明 ,用C2 H2 作为沉积气体......