多晶硅电阻相关论文
介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响,分析了多晶硅电阻非线性产生的原因.提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种......
本文提出了晶粒间界电流调整的新概念。讨论了晶粒间界的少数载流子复合以及晶粒间界的少数载流子迁移率和寿命。利用新概念对多晶......
为了满足衰减器低成本、小尺寸和可重用的发展需求,提出一种基于π型多晶硅电阻网络的宽频带(0~20GHz)片上衰减器。对精确控制多晶......
对使用磷离子注入方式的轻掺杂多晶硅进行试验，研究了注入剂量、退火温度、退火时间、后续热处理过程于高阻多晶硅电学特性的关......
提出了一种基于实测伏安特性确定多晶硅电阻中晶粒数及晶粒平均长度的方法．用该法得出的结果同 透射电子显微镜（ＴＥＭ）的实测统计结果符合......
保护管电路是一种抗静电保护电路。采用多晶硅磷掺杂工艺，有效抑制了因多晶硅厚度减少引起的多晶硅电阻的调试问题，解决了保护管电路......
本文在介绍采用硅微电子加工系统制造硅型气流传感器结构和工作原理的基础上，对其测试结果和多晶硅电阻特性进行了分析。......
本文对多晶硅电阻的温度系数进行了研究,随着掺杂浓度的增大,多晶硅电阻的温室系数从负值变到正值。实验结果可用Seto模型进行解释......
本文提出一个有效捕获中心浓度的概念随着填充电荷Ｑ的增加按指数规律变化，多晶硅薄膜电阻的Ｉ—Ⅴ特性与有效捕获中心浓度有关。当时，可......
本文提出了晶粒间界电流调整的新概念，讨论了晶粒间界的少数载流子复合以及晶粒间界的少数载流子迁移率和寿命。利用新概念对多晶硅......
作为集成电路的电阻单元，掺硼的多晶硅电阻在于欧级的范围同存在阻值不稳定性，尤其在金属连线下更为严重。分析了不同工艺条件下制作......
提出了一种基于实测伏安特性确定多晶硅电阻中晶粒数及晶粒平均长度的方法。用该法得出的结果同透射电子显微镜的实测统计结果符合......
介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理，给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法，实现了宽范围较高的补偿精......
报道了一种基于负电阻温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测SiO 2/Si3N4/SixNy微桥谐振器的新型红外探测器.微桥谐振器吸收的红......
随着无线通信产业的高速发展,器件特征尺寸不断减小,锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)最高特征频率已达到375GHz。与Ⅲ-Ⅴ族器件相......
MEMS加速度计具有体积小、重量轻、功耗小、成本低和过载能力强等特点，广泛应用于航空航天、导弹制导、通用航空、车辆控制、工业自......
本文研究了MOSICESD保护网络中多晶硅(以下简称多晶)限流电阻的ESD失效模式,并从理论上分析了多晶电阻的ESD失效模型;在此基础上进......
多晶硅电阻由于其独特的温度特性及电迁移效应,阻值受温度和电流的影响很大,针对应用于超高压BCD工艺中的多晶硅电阻,其可靠性需进......
目前,中国是世界最大的汽车产销国。在追求小型、智能、电动、安全趋势的推动下,汽车电子的市场规模迅速增长,因此应用在汽车电子......
报道了一种基于负电阻温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测SiO 2/Si3N4/SixNy微桥谐振器的新型红外探测器.微桥谐振器吸收的红......
文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较......
