在Ar+O2气氛中,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4薄膜.制得的薄膜经x射线衍射(XRD)检测为CdIn2O2和CdO相组成的多晶.从理论上分......

在Ar+O2气氛,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4(CIO)薄膜.通过对不同衬底温度下制备和沉积后在氩气流中退火的薄膜进行透射、反......

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０－２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量，实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量......

本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽......

全面地测试并分析了峰值波长约为1.55μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW-SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注......