自由载流子吸收相关论文
ZnSe晶体是典型的宽禁带Ⅱ－Ⅵ族直接带隙半导体,室温下的禁带宽度为2.7eV.随着非线性四波混频、Z 扫描、泵浦-探测等实验表征技术的......
本论文报导了利用Z扫描和泵浦-探测技术在光通讯波段(波长为1300nm和1500nm)测量砷化镓(GaAs)单晶的非线性吸收系数和非线性响应时......
采用输出波长为1319nm 连续nd：YAG 激光对响应截止频率为1100nm 的某型Si基可见光面阵CCD 进行了辐照实验，观察到Si基CCD 对带外......
为研究重掺杂硅单晶中氧的行为，克服由于强烈自由载流子吸收的干扰所造成的红外测氧困难，该文首次采用低温４．２Ｋ、超薄样品的傅立叶变换红......
目前,中红外器件的应用已越来越广泛.为了更好地了解此类器件的结构和发展状况,本文结合国外在此方向上所取得的结果,对这类器件的......
为了解决拉曼激光器的非线性光学损耗严重以及输出效率偏低的问题,利用受激拉曼散射(SRS)的非线性频移机制,以Si元素作为拉曼激光......
Current Status and Prospect of Infrared Radiation Ceramics for Energy-saving Applications in High Te
Nowadays,it is a great challenge to reduce energy consumption and exhaust emission for human activities,in particular,hi......
低成本的硅基光器件研究具有重要的意义,在硅中受激喇曼散射是实现光放大的有效方法。本文总结了硅波导中实现净增益和硅基喇曼放......
为探究硅基纳米波导中自由载流子吸收效应对皮秒脉冲整形的影响，采用改进的分步傅立叶法和四阶龙格库塔法，分析了脉冲峰值功率、脉冲......
采用Z扫描和泵浦-探测技术研究了GaN薄膜在370nm时的非线性光学效应和非线性光动力学过程。首先,基于GaN薄膜的透射光谱,结合线性......
构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的二维轴对称模型及热源模型,通过求解热传导方程计算了材料表面沿径向和纵向及材料表面中心的......
为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱。结果表明,波长约为580nm时,存在着本征吸收限;波长大于5......
为了研究脉冲激光辐照GaAs材料的热效应,采用软件COMSOL Multiphysics构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的温升物理模型,分析了106......
采用Z扫描和抽运一探测实验技术,在波长为532 nm、脉冲宽度为41 fs的条件下测得ZnSe晶体的双光子吸收系数,并获得了不同激发光强下......
本文论述了硅锗量子阱中的光致子带间吸收的机理，并在实验中探测SiGe/Si量子阱价带间的红外光致吸收.载流子由氩离子激光器作为光泵......
光载流子辐射技术已广泛应用于半导体材料性能的表征,本文基于一种包含光子重吸收效应的光载流子辐射理论模型,对单晶硅中光子重吸......
研究了用于喇曼放大的绝缘硅（SOI）脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带......
测试了多个Cd0.9Zn0.1Te晶片的性能,包括红外透过率、成分分布、位错密度、Te沉淀/夹杂密度以及电阻率.研究表明,红外透过率与性能......
研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响，分析了制约载流子寿命减小的若干因素，综述了采用合理设计减小波导截面......
本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽......
提出了采用双波长自由载流子吸收技术同时测量半导体材料载流子体寿命和前表面复合速率的方法.通过数值模拟,定性分析了不同载流子......
采用Z-扫描和泵浦-探测技术,在光通讯波段对砷化镓(Ga As)单晶进行了非线性动力学以及非线性光学的实验研究。飞秒泵浦-探测实验结......
为了改善9xx nm高功率半导体激光器的性能,对n包层和p包层的掺杂分布进行了调整,以减小激光器的内部损耗。同时为了减小有源区载流......
光子探测器有本征、非本征、内部光发射和次带间光电探测器多种类型。非本征光电探测器需要被致冷到较低的温度（〈40K）。内部光发射......
目前，中红外器件的应用已越来越广泛。为了更好地了解此类器件的结构和发展状况，本文结合国外在此方向上所取得的结果，对这类器件的结......
利用H在ZnO中作为浅施主杂质的特性,研究了H掺杂对ZnO∶ Al透明导电薄膜特性的影响.通过降低ZnO∶ Al中Al的含量并同时引入H掺杂,......
在半导体制造业中，随着微电子器件特征尺寸的不断缩小，对半导体材料离子注入工艺要求也越来越苛刻。在半导体材料基底上进行低能(低......
硅材料因其高折射率以及良好的光学特性成为集成光电子器件的基础材料,特别是基于SOI(silicon-on-insulator)结构的硅线波导具有色......
SOI(Silicon-On-Insulator)脊形光波导由于其优异的电学和光学性能成为集成光路的重要组成部分,在未来光互连与光计算等领域有着非......
光电探测器是实现光电检测及各种光电技术的核心部件,在国防、工业和科技等诸多领域已得到了广泛应用。正是由于光电探测器具有极......
本文建立了用于测量半导体载流子输运特性(载流子寿命、载流子扩散系数和前表面复合速度)的方波调制下自由载流子吸收(free carrie......
