悬浮区熔相关论文
采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃......
新型磁盘存储材料Eu_2PdSi_3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点。本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu_2PdSi_3单晶。......
利用具有无坩埚、高稳定性等特性的光辐射悬浮区熔法,制备R2PdSi3(R=Pr,Tb和Gd)单晶。从原材料和试样制备过程、单晶生长过程、熔......
介绍了真空电子束区熔炉技术性能、区熔原理、设备结构及特点。该设备是国内第一台国产化的电子束区熔炉,能够对最大尺寸为φ30mm......
利用具有无坩埚、高稳定性等特性的光辐射悬浮区熔法,制各R2PdSi3(R=Pr,Yb和Gd)单晶.从原材料和试样制备过程、单晶生长过程、熔体......
采用光加热悬浮区熔法制备了（Mo0.85Nb0．15）Si2单晶体，研究了化学成分和生长速度对获得C40结构单晶体的影响。结果表明：采用此法可制备......
利用具有无坩埚、高稳定性等特性的光辐射悬浮区熔法,制备R2PdSi3（R=Pr,Tb和Gd）单晶。从原材料和试样制备过程、单晶生长过程、熔体......
采用光悬浮区熔法以3 mm/h 的生长速度制备 Gd2PdSi3单晶。该化合物表现为同成分熔融，其熔点在1700＆#176;C 左右。与Gd2PdSi3化学计......
采用悬浮区熔工艺,生长出了最大直径（等径部分）22 mm的〈100〉晶向锗单晶,单晶等径长度20 mm,总长度80 mm。为减小锗单晶生长中的重......
