对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ材料，注入不同剂的Ｆ并退火，其电容经＾６０Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层控......