注氟SIMOX隐埋SiO2的辐照感生电荷分布特性

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对常规工艺制备的SIMOX材料,注入不同剂的F并退火,其电容经^60Coγ射线电离辐照后平带电压漂移较小,通过同理论值相比较,说明F的注入减少了SIMOX隐埋SiO2层控穴阱浓度,增强了SIMOX的的抗电离辐照能力。
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