掩蔽扩散相关论文
在电子器件或半导体集成电路的制备中,往往需要在半导体材料上以某种工艺复盖一层薄的透明介质膜,利用它可以进行掩蔽扩散或作为......
本文在初步探索了闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜生长条件的基础上,进一步对薄膜的生长规律进行了研究。实验发现在As_2O_3过量的......
引言 在以硅单晶为基础材料的半导体器件制造过程中,每当用HF去除硅表面SiO_2。层或用HF-HNO_3溶液对硅片进行化学清洗时,硅表面......
本文介绍了在450—700℃的广阔温度范围内研究Cd和Zn向InP扩散的结果,并对结果作了比较。详细研究了Cd,Zn及其化合物等不同杂质源......
本文研究并分析用SiO_2作掩蔽膜在p型硅衬底上扩散磷形成表面钝化以及MINP硅光电池发射区的优点。实验结果表明,SiO_2掩蔽扩散使上......
