【摘 要】
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本文研究并分析用SiO_2作掩蔽膜在p型硅衬底上扩散磷形成表面钝化以及MINP硅光电池发射区的优点。实验结果表明,SiO_2掩蔽扩散使上述两种硅光电池的开路电压、短路电流密度以
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系
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本文研究并分析用SiO_2作掩蔽膜在p型硅衬底上扩散磷形成表面钝化以及MINP硅光电池发射区的优点。实验结果表明,SiO_2掩蔽扩散使上述两种硅光电池的开路电压、短路电流密度以及转换效率得到不同程度的提高,同时改善了硅光电池的短波响应。
This paper studies and analyzes the advantages of using SiO 2 as a mask to diffuse phosphorus on p-type silicon substrate to form surface passivation and MINP silicon photovoltaic cell emitter. The experimental results show that SiO_2 masking diffusion can improve the open circuit voltage, short circuit current density and conversion efficiency of the above two kinds of silicon photovoltaic cells, and improve the short-wave response of silicon photovoltaic cells.
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