施主电离能相关论文
报道了Hg0.6Cd0.4Te红外光电导谱,在本征吸收边的低能侧观察到束缚激子引起的分立光电导响应
Reported Hg0.6Cd0.4Te infrared photoconductive......
本文用导带三能谷模型具体讨论了n-GaAlAs中载流子浓度的温度特n_0(x,T)。分析表明:在较高温区(T>200K)载流子浓度的多谷修正是不......
我们在 4.2—300 K的温区对 Ge.Si.GaAs的p-n结正向压降与温度的关系进行了实验研究,发现了两个有普遍性的规律:(1)随着温度的降低......