双异质结激光器相关论文
本文报道了用反应离子刻蚀(RIE)与晶向湿法化学腐蚀(XWCE)相结合沿InP衬底(110)方向获得工作波长1.3μm的InGaAsP/InP双异质结激光器的腔面......
本文报导了非故意掺杂InGaAsSb本底浓度的降低和掺Ten型GaSb和InGaAsSb的MBE生长与特性的研究结果。结果表明,通过生长工艺的优化,GaSb和InGaAsSb的背景空穴浓度可分别降至1.1×......
2000年10月9日,瑞典皇家科学院决定将2000年诺贝尔物理学奖授予三位科学家,以奖励他们为信息和通讯技术所作的基础工作。其中俄罗......
中国科学院上海冶金研究所研制成功微量氧测定仪(Ⅰ型),并于1981年12月28日在冶金所举行了技术鉴定会。高等院校、科研及工厂等20......
分子束外延最早是由G.Gunther于1958年提出来的[1]。其实质是一种非平衡条件下的真空沉积。简单说来,就是把要外延的有关材料放在......
在863计划资助下,集成光电子学国家重点实验室肖建伟、陈良惠、徐俊英等研制成功低阈值电流量子阱激光器(高技术通讯,本期18页),并......
一、引言激光器的锁模是1964年利用染料激光器首次实现的。70年代中期,具有快、慢饱和吸收体的锁模理论已基本完善。到80年代初,R.......
本文阐述了“光子学”的由来,发展及应用,该学科所涉及的范围和未来的前景。
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大约80年前,人们就看到化学汽相淀积(CVD)工业化发展的前景,现在CVD已广泛用来制取各种薄膜或涂层,例如具有优良的电、光和磁学特......
本文描述一种电解液为KOH水溶液的阳极腐蚀法.通过与一些有效的缺陷显示化学腐蚀剂对照,证实此法能显示N~+-GaAs任何取向平面的生......
本文就双异质结激光器和双异质结发光二极管的三种焊料(In、InSn、Ausn)对其器件的串联电阻(Rs)、热阻(RT)的影响作了初步的探索研......
近十年来,GaAlAs双异质结激光器的可靠性有了相当大的提高。这是由于通过大量的实验,消除了下述退化机构,a)体内退化。这种退化主......
本文介绍了发射波长为1.3μm的条形InGaAsP/InP双异质结激光器的高温特性。为了估计热特性,诸如热耗散功率、热阻、四元有源层的温......
设计并试验了对注入式激光器进行幅度强度调制的激光发射机。用GaAlAs双异质结激光器组装六个发射机具有以下性能:(i)调制指数为8......
美国第37届器件研究年会于1979年6月25曰至27日在博尔德的科罗拉多大学召开。会议由IEEE电子器件学会主办。
The 37th Annual De......
在800毫微米波段10公里长的单根光纤上,实现了双向高速数字脉冲信号的传输试验,使用了新研制的小型低损耗微光转换开关、不同发射......
引言随着光纤通讯技术的迅速发展,激光器作为光纤通讯的光源,它的研究也越来越深入。目前,在石英纤维中光的衰减已显著降低,在波......
汽相生长的 InGaAsP/InP 双异质结激光器已经制成,在1.25微米下具有85毫安的室温连续阈值电流和超过50%的微分量子效率。在合适的......
本所GaAlAs双异质结激光组,今年以来采用近平衡态液相外延生长技术,制出了大批12×8毫米平方整面光亮的片子。这些片子是在GaAs(1......
本文讨论双异质结激光器工艺中的二个问题: 一、管芯烧结中的问题和不同形状的热沉对器件性能的影响。二、器件热处理前后的比较......
第期多元逻辑电路12位高速进位发生器··················,·········……准零阻放大器····,···......
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1.前言 1973年Nelson发明液相生长法以来,一直用来生长各种器件所用的化合物半导体晶片。尤其在AlGaAs双异质结激光器(DH激光器)......
一、引言由于光纤通信具有信息容量大、安全、可靠、保密性好,抗电磁干扰能力强等优点,近年来发展极为迅速。随着生产的发展,科学......
工作在低电流的条状台面双异质结激光器已经制成。这种结构的激光器是将异质结腐蚀成10~40μ宽的条状台面,因而克服了条状结构激光......
本文描述了与InP晶格匹配的In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(对应发射波长为1.5μm)双异质结液相外延生长。讨论了与外延生长有关的几个主......
在室温至77K范围内,测量质子轰击条形GaAs-Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器正向伏安特性,发现很多激光器在低温下产生负阻或击穿的异......
实验证明,温度下降,受激发射阈值电流下降,进入一个饱和区。这与Hwang在300—10K间的观察结果一致。但尔后又继续上升。我们认为这......
我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p—GaAs甩Au—Cr金、n—GaAs用Ag—Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc......
在(100)晶向的InP衬底上制作了室温下发射波长为1.25~1.35微米的In_(1-x)Ga_x As_yP_(1-y)/InP双异质结激光二极管。宽接触式激光器......
为了获得集成的Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP激光器,研究了液相外延和湿法化学腐蚀技术。实现了在沟道的(100)InP衬底上GaInAsP层......
人们对用于1.0~1.7μm波长光纤通信系统光源的以InGaAsP和InGaAs作有源层的半导体激光器已进行了广泛研究。本文报导一种采用分子......
下面描述一种用于多层液相外延的石墨舟新结构,这种石墨舟可同时液相外延生长上下两个外延片,下片液相外延是由于活塞将生长溶液从......
我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺.实验结果表明, p-GaAs用 Au—Cr 金、n-GaAs用 Ag—Sn合金的欧姆接触工艺.比接触电阻率 Rc<10-4(欧姆)(厘 米)3应用于 GaAs—Ga1-xAlxAs双异质结激光......
用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-......
一、引言由于石英光纤在1.3μm处于零色散点附近而且损耗极小,因此长波长光纤通信越来越受到人们的重视。用波长1.3μm InGaAsP/I......
介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用 “正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均......
zn在AlGaAs和GaAs中开管箱法扩散这一新方法已经发展起来。在700℃时,Zn在GaAs和Al_xGa_(1-x)(0.1≤X≤0.5)中的扩散深度和质量与......
本文报告了采用两种液相外延方法在制备GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs异质结时向三元系材料掺入少量P,使Ga_(1-x)Al_xAs变成Ga_(1-x)Al_xAs......
本文报告用相平衡理论计算溶液配比,结合近平衡生长法制备四层结构的GaAlAs双异质结激光器,证明理论计算与实验结果是一致的。通过......