氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n+高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显......

ｎ－Ｓｉ为衬底，用ＰＥＣＶＤ方法淀积了多晶金刚石薄膜，该薄膜具有很好的发射特性，在６Ｖ／μｍ的电场下，场发射电流为５μＡ。由薄膜场发射的实验曲线计算得到场发射......

讨论了在关联噪声驱动下双稳系统的瞬变性质,计算了该系统的平均第一通过时间 (MFPT).数值计算表明:在正关联的条件下 (λ>0),MFPT......

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