场致发射相关论文
质子治疗是一种利用质子束进行癌症放射治疗的新技术。相比起使用光子束的传统放射治疗质子治疗能够获得更为理想的治疗效果,对肿......
针对某类牌号的单晶硅材料在放电加工系统中无法实现放电的问题,本文提出一种单晶硅放电加工临界电导率σ的界定方法,系统性地揭示......
微型加速度传感器,特别是基于微机电系统（MEMS）的加速度传感器广泛应用于汽车安全、导航系统、航空航天、军事、空间微重力等核心领......
为了研究不同气压下微间距气体放电的过程,在1-100 kPa的可变气压环境下,在1-100 μm的电极间距范围内进行气体放电实验并对实验结......
主要在研究真空微电子场致发射理论基础上;提出了台阶阵列、阴极-敏感薄膜新的机制;进行了计算机模拟场致发射计算和敏感薄膜厚度......
本文针对目前电真空器件小型化、集成化的发展需求,利用场致发射的原理在电子枪阴阳极之间馈入高频电磁场,利用高频电场实现对电子......
本文采用微波等离子体化学气相沉积方法（WMPCVD），借助Fe作为催化剂实现碳纳米管阵列定区域生长。扫描电子显微镜（SEM）分析结果表面，碳纳......
本文对碳纳米管场致发射显示器的发展进行了探讨。文章分析了C-FED与PDP的特点，指出C-FED虽然充满诱惑极具挑战性，但要进入市场走进......
目的：通过纳米碳管场致发射特性来研究CNT-FED型驱动电路的设计。方法：对CVD法制备的纳米碳管进行场发射测试,同时根据CNT-FED结构和......
在场致发射器件中,发射电流的稳定性是衡量器件质量的一个重要因素.由于在器件中存在残余气体,从场致发射体发出的电子与气体分子......
本文致力于研究适用于场致发射平板显示器(FED)的碳纳米管发射阴极制备工艺,研制基于碳纳米管阴极的平板显示器测试系统、评价体系......
作者通过反复实验和比较分析,在非晶金刚石薄膜发射实验中首次得到晶格水平的相变数据,并提出了场致诱导相变阶越增强电子发射机理......
本文研究介质薄膜场致发射的模拟计算方法.介绍了场致发射的基本计算公式以及实体模型透射系数的求解,简化模型伏安特性的计算结果......
以苯为碳源、氢气为载气、二茂铁为催化剂前驱体,采用流动催化剂法制备出高质量的多壁纳米碳管薄膜状材料.微观形貌观察(SEM、TEM)......
通过对电火花加工过程中极间介质击穿机理的分析，提出正离子场致电子发射理论。认为由极间介质分子碰撞电离形成的大量正离子对阴极......
作者研究基于碳纳米管阴极的平板显示器件技术,对于促进我国平板显示器研制技术迈上商业化开发具有的重大意义,并对其工艺进行了探......
A novel post-treatment method, including hard hairbrush and electrical treatment, is performed intentionally to improve ......
Structure and Field-Emission Properties of Carbon Nanotube Films Treated with Argon and Hydrogen Pla
In this study, thermal chemical vapor deposition (CVD) was utilized to grow carbon nanotubes (CNTs).Silane was the main ......
本文利用水热法铁离子腐蚀单晶硅的纯化学方法获得具有微米和纳米级复合结构的多孔硅,作为真空微电子器件使用的场致发射电子源.该......
摘要：从1995年碳纳米管场发射实验研究报道以来，碳纳米管因其优异的电学特性、大长径比，被认为是21世纪最具有应用潜力和研究价值的场......
结合聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术提供了一种制备Spindt场致发射阵列阴极的新方法,并成功制备了集成度较高且均匀分......
从理论和实验上研究了材料功函数对场致发射稳定性的影响。研究发现，功函数是决定材料发射稳定性的主要因素。所得数据表明：（1）尖端功......
本文讨论了近年来除液晶显示之外的其它几种主要的平板显示技术的发展情况。比较了它们在性能上主要优缺点，并对它们今后的发展前景......
描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光......
本文将非正交曲线坐标系下的有限差分算法和四阶龙格-库塔法结合起来研究了微尖场致发射三极管的静电特性．计算模型中的阴极为塔形（T......
本文全面介绍发场致发射显示屏（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ）的研制历史和最新进展；系统地讨论了场致发射显示屏产品设计中的相关技术问题。
This article intro......
本文介绍AsiaDisplay95，InternationalDisplayWorkshops，LLDInternational等3个国际显示会议，以及日本全国电子学展览会的概况。
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提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺......
随着半导体工艺在真空微电子学中的广泛应用,场致发射平板显示技术得到迅速发展。利用场致发射冷阴极制备的平板显示器件及象素发......
研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备方法、工艺及封装方法等．并分别测试了这两种场发射锥尖阵列的电子发射特性，分析表明......
本文介绍显示技术的新发展，场发射显示技术的掘起，场发射技术及真空技术、微显示技术的发展，从而论述了我国场发射显示（FED）技术的研究......
对边缘切致发射三极管进行了模拟，采用的模型为“鸡尾酒杯”结构。在静电分析中引入了一种新的数值计算方法──非正交曲线坐标系下......
通过保角变换方法，对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究，求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式，进而得到......
本文介绍我们开发的FED工艺，包括：硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了......
概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了F......
楔形发射体的有效发射面积较大，能够承受较大的发射电流，并产生较高的跨导，因而更适用于大功率微波放大器。用有限元法对器件的性能进......
对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果．在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正......
分析比较温度对金属热发射、场致发射、光电发射和次级发射的影响.
The effects of temperature on the thermal emission, field......
本文利用广泛使用的ＰＩＣ（ｐａｒｔｉｃｌｅ－ｉｎ－ｃｅｌｌ）粒子模拟软件ＭＡＧＩＣ模拟了楔型场致发射真空微电子三极管的一个单元的特性。该单元由一个模型场致发射体、栅极和阳极......
场致发射阴极具有电流密度大、纵向尺寸小、效率高等一系列优点，有望成为下一代电子注器件的理想电子发射源。九十年代中期俄罗斯科......
研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备工艺,采用了两种封装结构测试了场发射硅尖阵列的发射特性,并分析比较了这两种结构......
