等离子体化学气相淀积相关论文
Silicon nitride nanoparticles were synthesized by radio-frequency (RF) plasma chemical vapor deposition (PCVD) using sil......
n-Si为衬底,用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜,该薄膜具有很好的发射特性,在6V/μm的电场下,场发射电流为5μA。由薄膜场发射的实验曲线计算得到场发射......
本文报导了以钛酸丁酯((C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>O)<sub>4</sub>Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上......
For the aim of synthesis of the carbon-iodine compound, the preparation of iodine-included carbon using RF plasma CVD wa......
以n-Si为衬底,用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜.采用以金刚石薄膜为阴极的二极管结构测试了场发射特性,在6 V/μm的电场下,场发射......
PE 氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC 电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而,氮化硅龟裂问题是影响其......
期刊
本文是利用等离子体化学气相淀积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在低温低压下,使用有机物TEOS(正硅酸四乙脂,Tetr......
学位
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望......
随着超大规模集成电路的发展,互连RC延迟越来越大,严重制约了芯片的运行速度。为了降低RC延迟,0.13μm的工艺技术开始采用低介电常......