极紫外光刻技术相关论文
自1986年极紫外光刻技术(Extreme ultraviolet lithography,EUVL)被提出,极紫外光刻光源的研发一直是实验室和半导体制造工业界的......
随着集成电路的进一步发展，波长为13.5nm的极紫外(EUV)光刻技术成为前沿和趋势。由于EUV辐射被包括空气在内的几乎所有物质强烈吸收......
极紫外光刻技术(EUVL,λ=13.4 nm)是为小于70 nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术(NGL).在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外......
光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径.目前主流市场使......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
有一种说法是，现代文明是电子芯片驱动的。从航天事业到日常生活，电子芯片对于现代文明的影响无处不在。而这所有的芯片，又无一例外都......
随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础.纳米光刻技术是制作纳米结构的基础,具有重要的应用前景.文章介......
2013年4月15日消息，曾经有客户希望台积电的工艺更新换代步伐能够放缓一些，但无论从技术还是从商业角度讲，台积电显然都不可能这么做，......
美国加州大学研究人员近期表示，他们在与西盟公司合作为下一代极紫外光刻（EUVL）开发激光光源的研究中发现，利用二氧化碳激光器系统可以......
极紫外光刻技术(EUVL,λ=13.4 nm)是为小于70 nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术(NGL).在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外......
IBM宣布在超密计算机芯片工艺上取得了一项重大突破，已经成功研制出了7nm芯片的可工作样品，这项技术最大的变革在于，其采用的是锗硅材......
美国IBM公司生产出了半导体工业领域首片7nm工艺节点测试芯片。该芯片内包含200亿个可以实际发挥作用的晶体管。为了将半导体技术......
正如半导体国际杂志上所说的那样，在今年的SPIE Microlithography会议上，光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果......
本文从多方面对下一代光刻技术做了介绍和分析，重点描述了纳米压印光刻技术、极紫外光刻技术、无掩模光刻技术、原子光刻技术、电子......
在最近召开的SemiCon West产业会议上，Global Foundries公司宣布将在15nm制程节点上开始启用EUV极紫外光刻技术来制造半导体芯片。......
文章通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究，对光......
