压敏电压相关论文
本文以压敏电阻器脉冲寿命过程为研究对象,通过实验分析压敏电阻器在单向和换向重复脉冲冲击下的失效过程,分析讨论随着冲击次数的......
现有的压敏电阻器技术标准或应用技术资料,在谈到失效判定电参数时,几乎都是"压敏电压(UN)较初始值下降10％"这个判据.这个判据无......
采用传统陶瓷工艺制备了不同ZrO2含量(0％～2.0％,质量分数)的ZnO-Pr6O11-CoO-Cr2O3基压敏陶瓷.这些陶瓷在1300℃下经2h烧结而成.X-射线......
本文介绍了SnO掺杂对SrTiO环形压敏电阻性能的影响.电性能测试结果表明,在0.5—1.0mol﹪的掺杂范围内,随SnO的掺杂浓度增加,试样的E......
TiO是一种电容－压敏复合功能材料，具有压敏电压低，电容量大和非线形系数高的特点。掺入CuO可以明显地改善TiO系电容－压敏电阻器的性能，......
对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试,结果表明不同的热处理时间对薄膜的I-V非线性特性有重......
本文通过试验研究氧化锌压敏电阻器的高温特性，结果表明，压敏电压、限制电压均受到温度的影响，简单的定性分析认为这是由于高温时热激......
由于目前MOV 型SPD 劣化检测参数U1mA 和Ileakage 不能对MOV 劣化程度做出及时有效的判断,因此,研究一种能够考量MOV 劣化程度的方......
采用传统陶瓷烧结方法,制备了Ca(1-x)Ce0.5xCu3Ti4O12(x=0,0.1,0.25,0.5,1)陶瓷,利用X 射线衍射仪,测定了材料的物相结构,利用扫描......
本文研究了Ti的化学计量比对CCTO介电特性的影响。XRD结果表明，在CaCu3Ti3.6O11中除主要的CCTO相外，还有少量的CuO和CaTiO3相，进一步......
本文采用高压蒸煮的方法,研究了防雷型压敏瓷片耐潮湿性的一般规律,分析了瓷料配方、烧结温度、压敏电压和片径以及表面形态对防雷......
三氧化钨（WO3）是一种重要的功能材料,因具有良好的电致变色、光致变色、电化学性能而得到广泛的研究和应用。近年来,人们又发现了WO3......
采用传统陶瓷工艺制备得到了掺杂不同含量Fe2O3 (0 mol％～0.1 mol％)的TiO2-Ta2O5基压敏陶瓷,并研究了Fe2O3添加量对TiO2-Ta2O5基压......
本文概述了常用恒流源设计的基本方法,具体分析了MOV型SPD测试系统中采用集电极输出恒流源的设计电路,并对以ARM9_2440处理器为核......
三氧化钨(WO3)基陶瓷具有良好的压敏特性,由于同时具有较低的压敏电压和较高的介电常数,WO3陶瓷还是一种优良的压敏—电容复合......
ZnO压敏电阻I-U特性曲线上的非线性起始电压，是决定压敏电阻额定电压的非线性电压，称为压敏电压，文章作了综述。......
本文采用常规固相法制备(Sr.Ba,Ca)TiO3基压敏陶瓷.用Nb5+离子取代Ti4+离子,Mn作受主掺杂元素的前提下,系统研究了稀土离子La3......
本文采用常规固相反应法制备(Sr,Ba,Ca)TiO3基压敏陶瓷,在一次掺杂La和Nb的前提下,利用正交实验研究了二次掺杂Al2O3,SiO2,Cr2......
利用微波烧结技术来制备高电位梯度ZnO压敏电阻。将ZnO和PbO、B2O3、Co2O3、MnO2粉体按照化学计量比混合，将所得的粉体经过干燥......
本文通过采用独特的Zn-Bi-Ti-Sn配方体系，并运用高温(800℃)烧银技术，可实现压敏电压低压化，并能很好解决低压极性问题。制得的产......
本文就热处理对压敏电阻小电流特性和耐脉冲电流特性进行了研究，结果表明，热处理使样品的压敏电压降低，漏电流增大，非线性系数降低......
本文用ORIGIN PRO软件拟合热处理前后氧化锌压敏电阻器的伏安特性曲线方程、非线性指数和电流的关系，拟合表达式为多项式。结果......
本文简单介绍了ZnO压敏电阻低压化的发展情况、制备方法、以及如何实现低压化。研究了TiO2掺杂量对ZnO压敏电阻低压化的影响，寻找合......
本文简述了SrTiO3基压敏电阻的研究背景，详细介绍了SrTiO3基压敏电阻的电容-压敏双功能特性，探讨了SrTiO3基压敏电阻器高压化(压敏电......
本文研究了掺杂CaCO3对ZnO压敏陶瓷的微结构和压敏特性的影响。实验发现，随着CaCO3掺杂量的增加，ZnO压敏陶瓷中的晶界缺陷数量增多，正......
从压敏电阻与滤波电容与电感的组合着手，进行理论分析，得出当压敏电阻与电感结合时。能使限制电压得到衰减，进而提出压敏电阻与T型低......
本文研究了使用磁化水配料对ZnO压敏陶瓷电性能和微观结构的影响.与传统使用去离子水制备的ZnO压敏陶瓷相比,0.2T磁化水制备的ZnO......
利用新型sol-gel法制备了B2O3掺杂的ZnO薄膜.用SEM表征了B2O3掺杂前后ZnO薄膜的表面形貌,用XRD详细分析了不同B2O3含量掺杂下ZnO薄......
本文着重研究了以ZnO—BiO—SiO系为基础,适当添加Co、Mn、Sb、Cr、Ni等氧化物的叠层片式压敏电阻配方.该配方的特点是烧结温度低(......
影响压敏民阻器性能的因素很多，由原材料和制备过程中引入的有害杂质是其中重要因素之一。有些杂质对元件的性能影响大，在原材料检验......
该文首次报导了用溶胶－凝胶法制备出ＺＢ／Ｓｉ（１１１）／Ｐｔ薄膜，并研究了经在同一温度下不同退火时间处理的薄膜的Ｉ－Ｖ特性和薄膜相结构。通过制备薄膜可得到很......
该文从实验的角度，对氧化锌压敏电阻器在严酷湿热条件下的失效现象进行论述，并初步探讨了其机理，为ZnO压敏电阻器在严酷的湿热环境条......
该研究通过在TiO压敏陶瓷制备过程中掺杂不同的受主杂质。讨论了采用不同受主掺杂及不同烧结温度对双功能TiO压敏陶瓷性能的影响。......
TiO是一种电容－压敏复合功能材料，具有压敏电压低，电容量大和非线形系数高的特点。掺入CuO可以明显地改善TiO系电容－压敏电阻器的性能，......
SrTiO3基电容-压敏复合功能陶瓷材料具有优良性能.本文通过草酸盐化学共沉淀法制备(Sr,Ca)TiO3陶瓷的超微细粉末;对不同烧成温度、......
ZnO压敏电阻的老化主要由施加电压及温度因素造成,为研究其在工作电压下的热电特性,利用建立的压敏电阻交、直流老化试验平台,开展......
采用溶胶-凝胶法成功制备了梯度掺杂CaCu3Ti4-xZrxO12(x=0、0.05、0.10、0.15、0.20)薄膜.通过X射线衍射及扫描电镜对其相结构及显......
ZnO系压敏陶瓷广泛应用于高压领域的避雷器和低压领域的电路保护中,涵盖了各行各业的电力电子设备。近年来,电子技术迅猛发展,电子......
采用传统陶瓷工艺制备了不同Fe2O3含量(0-0.075 mol％)掺杂的TiO2-Nb2O5-Cr2O3基压敏陶瓷,并研究了Fe2O3添加量对TiO2-Nb2O5-Cr2......
该文对应用前景广阔的TiO系压敏--电容复合电子功能陶瓷材料进行了研究.采用工业纯TiO为主要原料,通过实验选择了适当的(Nb,Sr,Bi)......
该学位论文是关于探索TiO压敏陶瓷用于微电机消噪的环形压敏电阻的可行性方面的研究.该类元件不仅要求其具有伏安非线性特性,同时......
自从1969年发现ZnO压敏材料以来，人们对其进行了广泛、深入的研究，到八十年代中后期，ZnO压敏材料的开发应用日渐成熟。但由于掺杂量较......
本文测量了在ZnO中加入少量的TiO2或CuO后样品中的电子密度及其电阻率。以此为基础，采用固相反应法分别制备了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-M......
研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂......
