氮化物半导体材料相关论文
在器件的制作过程中,n-GaN的表面状态对n型欧姆接触起决定作用,同进也严重影响着器件的光电性能.而ICP刻蚀过程对n-GaN的表面状态......
Ⅲ族氮化物半导体材料具有宽禁带直接带隙、良好的结构稳定性、高化学稳定性、高热稳定性、光传输特性好、低毒害性等特点,这使得Ⅲ......
Ⅲ族氮化物半导体材料具有宽禁带(GaN3.4eV, AlN6.2eV)、高击穿场强(GaN3.3MV/cm)、高电子迁移率(1300cm2/Vs)和高饱和电子漂移速......
宽禁带Ⅲ-V族氮化物半导体由于其材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、介电常数小、电子有效质量较小等特性,在光电子领域有着重要的......
宽禁带III-V族氮化物半导体材料在短波段发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面有着广阔应用前景。本论文在......
硅材料作为电子产业的基础,数十年来一直是信息经济发展的实质动力。随着电子器件尺寸的缩小和处理速度的加快,晶体管尺寸已经迫近......
本文介绍由场发射环境扫描电镜和高性能阴极荧光谱仪构成的联合分析系统.该系统在图像质量、图像空间分辨、阴极荧光成像及光谱分......
氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶......