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基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后，会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题，导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试......
根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论，设计了一种基于动态浮栅技术的ESD保护结构。在MEDICI混合仿真中加入0.35 μm的CMOS工艺库，仿......
CMOS工艺进入到深亚微米时代,对电路的静电保护能力提出了极大的挑战,本报告在GGNMOS结构ESD保护电路的基础上,提出了一种浮栅结构......
随着半导体工艺节点不断推进，非挥发性存储器市场的主流器件浮栅结构Flash存储器器件尺寸不断缩小，在此过程中，单元与单元之间电容耦......
随着集成电路工艺的不断发展，存储单元的特征尺寸在不断减小，存储芯片的集成度也在不断提高，基于连续电荷存储的传统多晶硅浮栅flash......
随着科技的发展，以Flash存储器为代表的半导体集成电路技术高速发展，消费类电子日益丰富多彩。当科技持续高速发展时，基于浮栅结构的......
SOI LDMOS器件是基于LDMOS器件的一种新型功率半导体器件。SOI结构具有高速,低功耗,高集成度,抗辐照,易于隔离等优点,并且可以克服......
