基于动态浮栅技术的输入端ESD保护

来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ipgoalusb
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根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种基于动态浮栅技术的ESD保护结构。在MEDICI混合仿真中加入0.35 μm的CMOS工艺库,仿真结果表明此动态浮栅结构的抗HBM能力大于8KV。
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