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根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论，设计了一种基于动态浮栅技术的ESD保护结构。在MEDICI混合仿真中加入0.35 μm的CMOS工艺库，仿真结果表明此动态浮栅结构的抗HBM能力大于8KV。
基于动态浮栅技术的输入端ESD保护
【摘 要】
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根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论，设计了一种基于动态浮栅技术的ESD保护结构。在MEDICI混合仿真中加入0.35 μm的CMOS工艺库，仿真结果表明此动态浮栅结构的抗HBM能力大于8
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
【发表日期】
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2008年12期
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