深杂质能级相关论文
在光电子领域半导体硅材料占据主导地位,这是由于硅材料具有成本较低和现代标准COMS工艺兼容性较好的优势;但是硅由于带隙限制使其......
用X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sb掺杂的钙钛矿型氧化物SrTi1 -xSbxO3(x =0 .0 5 ,0 .10 ,0 .15 ,0 .2 0 )薄膜的电......
东京大学生产技术研究所的生驹俊明教授等人利用半导体中深杂质能级,成功地试制了新型红外摄象器件。在硅材料中,通过扩散杂质,形......
一种MIS结构,其中半导体为适当掺杂的ZnSe,呈现出开关和存储特性。在正向和反向偏压两种情况下,这一结构也发射光,其波长具有所掺......
由于使用了硅工艺,使对在中红外区(3~5微米)工作之非本征硅掺杂红外探测器的兴趣正与日俱增。在高于77K温度下工作的Si:In光-离子化......
本文从分区变分的概念出发提出了一种计算半导体中杂质能级的新方法.它计入了杂质原于的短程势、长程势和主晶格周期势的贡献,是一......