器件模拟相关论文
热活化延迟荧光（thermally activated delayed fluorescence,TADF）材料因其高效、低成本等优点而成为显示领域的新宠。然而适用于TAD......
有机半导体器件的发展给人们的工业生产和日常生活带来了极大的便利,然而其效率仍无法满足人们的需求,因此迫切需要更深入地了解器......
铜铟镓硒（Cu（In,Ga）Se2,CIGS）太阳能电池,目前是薄膜太阳能电池中转换效率最高的,以其优异的特性和稳定的器件性能,在科研界备受关注,......
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)太阳能电池是一种高效薄膜太阳能电池,Ga含量(Ga/(Ga+In),GGI)梯度调控是在不损失短路电流情况下,获得高开路......
蒙特卡罚方法作为适于研究热电子效应及量子效应对半导体器件影响的一种半导体器件计算机模拟方法,应用日益广泛.本文介绍了蒙特卡......
针对高载流子迁移率二维狄拉克材料石墨烯和硅烯(石墨烯在硅中的类似物)没有能隙不适合做低功耗的场效应管的困境，提出了一系列......
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温......
利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对PN结的毁坏过程,对计算结果作了分析,得到了一维器件模......
从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达......
SG方法内在地具有侧风扩散现象。为了分析它对半导体器件模拟结果的影响，文中提出了一种精度高于SG方法的离散方法，然后将该方法插入......
针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给......
本文对源漏ｎ＋浅结注入的自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析，分析表明，不同ｎ＋注入深度对器件的特性有一定......
用纯数值技术计算了５０～１５０Ｋ下磷、硼非补偿和补偿时在硅中的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，结果......
在通用半导体器件模拟软件PISCES（版本为90091，SunOS4.1（Zhiping））的基础上，修改了模型方程，加进了低温参数模型，成功地开发和编制出了适于......
以二级牛顿算法为基础提出了电路与器件的混合模拟方法，从而实现了一个有效的混合仿真工具。提出了一种通用的数值器件模型，可以适用......
本文介绍了现代PLD技术最新发展－在系统可编程（ISP）技术及其特点。
This article describes the latest developments in modern PLD......
介绍了一个在ＳＵＮ工作站上自主开发的砷化镓集成电路ＣＡＤ系统。该系统可完成微波、毫米波集成电路ＣＡＤ及砷化镓超高速数字集成电路ＣＡＤ。应用该系统......
本文在通用半导体器件模拟软件ＰＩＳＣＥＳ（版本为９００９Ｉ，ＳｕｎＯＳ４．１（Ｚｈｉｐｉｎｇ））的基础上，修改了模型方程，加进了低温参数模型，成功地开发和编制出了适于低温半导体器件模拟软件......
对平面型电力电子器件场环终端进行了优化设计与试验研究．提出了用混合因子Ｍｘ（载流子密度与固定电荷密度之比）作为判断理想耗尽区近似是......
进一步研究二个问题：（１）理论模拟的方法由快速傅里叶束传播法（ＦＦＴ－ＢＰＭ）改为有限差分束传播法（ＦＤ－ＢＰＭ），并比较了两者的优缺点。（２）模拟设计了对象提高为由ＧｅＳｉ合金......
本文我们首次建立了δ掺杂AlGaAs／GaAs高电子迁移串晶体管（HEMT）的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性，根......
本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特......
根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散......
全加器是算术运算的基本单元．设计结构简单的全加器有利于缩小数字处理芯片的面积。根据最新的ＸＯＲ门结构设计了一种新的全加器，这种结构......
WINBIS是一个运行于中文WindowsPC环境中的双极型器件特性模拟软件，其源代码由面向对象程序设计语言borlandC＋＋4．5编制而成。WINBIS提......
对VDMOS－NMOS兼容集成结构击穿时的电场特性进行了二维数值模拟，模拟结果分析表明：在适当的器件几何尺寸与制造工艺条件下，对接NMOS的......
提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ 晶体管，使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ 双极晶体管的混合特性，在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的......
本文讨论了有关低温双极器件模拟物理参数的低温模型和各种低温物理效应,确立了适用于低温双极器件模拟的数值分析方法,建立了适用......
本文阐述了半导体器件模拟中的有限元三角网格误差分析的基本原理，在分析比较了几种误差估计方法之后，选择了一种比较优秀的方法作为......
本文基于 Ｃ Ｉ Ｆ 版图格式的数据结构，开发了一个高压功率器件的版图自动生成器，并利用该软件设计了一个具有双层浮空场板的高压功率 Ｌ ......
本文介绍一种采用载流子总量方法分析SOIMOSFET器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序LADES7联解器件内部二维泊松......
讨论了深亚微米半导体器件模拟的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法（ＭＣＭ），并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系．
The Monte Carlo meth......
利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效沟道长度、栅氧厚度、源漏结深、衬底掺杂浓度以及电源电压对深......
本文对知名的集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４进行了较仔细的校验，用ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺，并同实验值进行了比较，模拟值和实验值的偏差在１０％以内，与......
Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时，往往受到应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料参数缺乏的制约。本文建......
本文在对半导体器件模拟过程分析的基础上，提出了目前广为流行的器件模拟软件面向对象的设计和开发方法。由此获得的软件系统具有易......
讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法（ＭＣＭ），探讨了确定自由飞行时间的自散射方法，并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动......
本文用自洽的线性场理论对相论返波管进行了分析和数值计算，预见出器件的工作频率及特性．报道了Ｘ波段相对论返波管实验结果：器件在束流......
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度......
通过求解经修正的二维泊松方程，并考虑了主要的短沟效应和高场效应，得到一个描述短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件Ｉ－Ｖ特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚......
