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对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多品合成和单品生长进行了研究.以高纯(99.9999%)As、Ge、Cd为原料,按照CdGeAs,化学计量比并适当富Cd、As配料,采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多品材料,使用改进的坩埚下降法生长山Ф15mm×45mm、外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体.XRD全谱拟合精修、红外傅里叶分光光度计测试分析表明:合成的CdGeAs2晶体具有单相四方黄铜矿结构,晶格常数为a=b=0.5946nm,c=1.1217nm;生长出的Cd