研究了以ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＶ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０．４Ｐａ。......