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GaAs衬底上立方GaN的低温生长
研究了以GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaV薄膜的主要性质,阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中,衬底温度约为600℃,反应器内压力约0.4Pa。......
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ECR-PAMOCVD
立方氮化镓
cGaN
Low temperature growth
Active nitrogen sourc
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