...

研究了以（００１）ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＮ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０４Ｐａ。......

研究了以ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＶ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０．４Ｐａ。......

综述了高质量ＧａＮ薄膜材料生长工艺的最新进展，着重阐明金属有机物汽相沉积工艺以及以活性氮为前体的分子束外延工艺的应用。......