HGCDTE材料相关论文
为深入分析高重频CO2 激光对HgCdTe 晶体的损伤机理，开展了高重频CO2 激光对HgCdTe 晶体的温升实验，测得了不同激光重复频率(1、5、1......
为深入分析高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的损伤机理,开展了高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的温升实验,测得了不同激光重复频率(1......
大规模红外焦平面器件的制备需要低成本、高质量、大面积且均匀性良好的Hg1-xCdxTe材料。使川替代型衬底的HgCdTe分子束外延技术能......
针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的......
在改进的开管液相外延生长系统中用富碲母液已经重复地长出了长波(8～14μm)Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层。在外延过程中低温区的纯汞能......
晶体HgCdTe材料主要应用于高速成像列阵和红外探测器。尤其受到红外探测器的欢迎，因为它具有宽可调直接禁带和出色的电学特性，以及高......
针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照 实验,开展了位移损伤对HgCdTe 材料红外透射光谱影响......
本文报导用特殊方法观察到气流在MOCVD反应室里的分布形态,并以此为根据,通入不同流量的有机物生长HgCdTe。测试结果表明:气体流量......
<正> 一、HgCdTe的外延与分子束外延生长 1.用MOVPE生长在(211)B CdTe/Si衬底上的HgCdTe膜层的特性(S.H.Suh等,韩国科技研究所)......
Teledyne Judson Technologies（TJT）公司已经成功研制高性能短波红外（Short—wavelength Infrared，SWIR）320×256／30μm的HgCdTe焦平......
1 引言近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提......
碲镉汞(HgCdTe)材料是目前最重要的红外探测器材料之一,其中以HgCdTe光伏器件为主。光伏型碲镉汞红外探测器为pn结阵列结构,pn结的......
红外辐射是一种不可见的辐射,它的本质是介于可见光和微波之间的电磁波。目标红外辐射信号的强弱可以由红外探测器将辐射信号转换......
近年来，HgCdTe材料在红外领域的应用得到了长足的发展，并成为继Si和GaAs以后最为重要的半导体材料之一。在发展过程中，由最初的采用体......
