【摘 要】
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对抛光后的HgCdTe晶片进行了剥层位错腐蚀研究,得到了HgCdTe晶片中位错密度随深度变化的分布情况.表层经腐蚀剥除后,用位错密集区的分布作为特征来描述位错的分布情况.HgCdTe晶片位错的分布情况各层不同,对于500微米以内的HgCdTe晶片,位错密集区中心的移动轨迹呈直线变化.在不同深度上,位错密集区的中心以中央晶区为特征,位置分布在500微米范围内可视为不变.随着应力在不同深度的变化,位错
【机 构】
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中国科学院传感技术联合国家重点实验室上海技术物理研究所(上海)
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对抛光后的HgCdTe晶片进行了剥层位错腐蚀研究,得到了HgCdTe晶片中位错密度随深度变化的分布情况.表层经腐蚀剥除后,用位错密集区的分布作为特征来描述位错的分布情况.HgCdTe晶片位错的分布情况各层不同,对于500微米以内的HgCdTe晶片,位错密集区中心的移动轨迹呈直线变化.在不同深度上,位错密集区的中心以中央晶区为特征,位置分布在500微米范围内可视为不变.随着应力在不同深度的变化,位错密集区的直径大小会发生相应变化.测得第一面的位错密集区就可以预知器件截面的位错密集区的分布,在器件制作时,尽量避开这些位错密集区的中央晶区,就可以获得性能较好的器件,同时可以提高器件的成品率.
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