绝缘体上锗相关论文
随着晶体管特征尺寸缩小至10 nm以下,传统Si基MOSFET面临诸多挑战,而新型沟道材料和器件结构将有望进一步提升器件性能.基于绝缘体......
随着半导体制造技术向22纳米及以下节点迈进,传统器件所采用的材料和结构将面临严峻挑战,根据ITRS的预测,在2010～2016年间,高迁移率......
锗材料由于具有比硅材料高的电子和空穴迁移率，在通信波段有较高的吸收系数并且与成熟的硅工艺相兼容等优点，使其成为下一代高性能微......
“后22nm”时代,CMOS技术将从新型器件结构和新型沟道材料两方面来解决传统硅CMOS面临的问题。根据国际半导体技术发展路线图(ITRS......
微电子技术沿着摩尔定律从65nm、45nm不断推进至当前的14nm节点,不远的未来将发展至10/7nm节点,摩尔定律的发展面临着严峻的挑战。......
绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用,以及近年来为满足SOI的特殊应用要求研发......
绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采......
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