绝缘体上应变硅相关论文
基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变......
随着半导体制造技术向22纳米及以下节点迈进,传统器件所采用的材料和结构将面临严峻挑战,根据ITRS的预测,在2010～2016年间,高迁移率......
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅......
微电子技术沿着摩尔定律从65nm、45nm不断推进至当前的14nm节点,不远的未来将发展至10/7nm节点,摩尔定律的发展面临着严峻的挑战。......
绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用,以及近年来为满足SOI的特殊应用要求研发......
