利用绝缘层上的硅(SOI)材料，分别制备出一维限制的单晶Si量子阱结构和二维限制的Si纳米线结构。在室温下研究了单晶Si量子阱的......

SOI(绝缘层上的硅)技术被国际公认为"二十一世纪的微电子技术"本文主要介绍了大面积均匀微波等离子体源的研制及其在SOI半导体材料......

SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on ......

近来，ＩＢＭ公司利用绝缘层上的硅（ＳＯＩ）技术成功研制出高速低功耗的微电子主流产品微处理器等离性能芯片，该芯片不仅工作速度显著提高，功耗也大幅......

光开关在实现高速信息互连中扮演着重要的角色,受到人们的广泛关注。随着器件结构的不断创新以及半导体加工技术的不断改进,光开关......

SiGe-On-Insulator(SGOI)新材料是微电子技术领域的前沿技术，它结合SiGe和SOI两种先进技术的优势，在将来高速、低耗、高密集成电路以......

绝缘层上的硅（SOI）技术以其独特的结构在低压、低功耗电路，高温、抗辐照器件以及集成光电子器件方面有着广泛的应用，被誉为“21世纪的......

SiGe-On-Insulator （SiGe-OI）是微电子技术领域的前沿技术，它结合SiGe和SOI两种技术的优势，在将来高速、低耗、高密集成电路以及光电集......