肖特基势垒二极管(SBD)相关论文
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD).探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆......
基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD).对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于......
由于导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,肖特基二极管（SBD）不能够应用于高压功率领域。为了改善导通电阻与击穿电压之间的关系,提出......
期刊
光伏旁路保护电路作为太阳能光伏电池组件的重要部件,与光伏电池串并联使用,主要是防止热斑效应,保护光伏电池组件,由于其在光伏电......
本文阐述了SiC功率器件最近的研发动向,提出了SiC与Si-IGBT的混合模块方案,对比全Si-IGBT,开关损耗能降低30%,回复损耗降低50%,可......
在常规SiGe工艺下,设计了太赫兹频段的180 GHz信号产生、调制与探测电路。正交振荡器产生了四路相位相差90°的正弦信号,每路频率......
Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下......
作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管（SBD）有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。......
由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管(SBD)的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的......
