肖特基器件相关论文
稀磁半导体兼具材料的半导体性能和磁学性能，可以将电学、光学和磁学集于一体，从而提高器件的功能性。同时利用电子的电荷和自旋两个......
本文主要开展了NiSi薄膜的热稳定性以及NiSi/Si肖特基器件的相关研究。将难熔金属铪以夹层形式掺入Ni薄膜，可将高阻相NiSi2的形成温......
Ⅱ-Ⅵ族的ZnS材料在室温时的禁带宽度为3.7eV，是一种在光电子器件应用领域具有很大开发潜力的宽禁带半导体材料，对其纳米结构的研究......
基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算，主要研究MIS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质（电场强度分......
研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压（C-V）特性曲线中,出现了峰和负......
近年来，由于溢油等海洋探测应用的需求，迫切需要一种响应波段>365nm的紫外探测器，而这超出了AlGaN紫外探测器的波长范围。因此，寻找新......
200mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延......
